Α. ΑΤΟΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ

i) Εργασίας : Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο

τηλ.:+30-210-772 3044, fax: +30-210-772 2928

email: yraptis@central.ntua.gr

ii) Κατοικίας : Μπουμπουλίνας 30-32

Κβαντομηχανική I

Μαθηματικά I

Μέθοδοι Φυσικής I

Κβαντομηχανική II

Μαθηματικά II

Μέθοδοι Φυσικής II

στην επιφάνεια ημιαγωγών,λόγω ακτινοβολίας Laser",

Αγγλικά.

1. Ενωση Ελλήνων Φυσικών.

2. American Physical Society.

3. Ελληνική Εταιρ. Επιστ. και Τεχνολ. Συμπυκνωμένης Υλης.

Φυσική Στερεάς Κατάστασης, Ημιαγαγώγιμα Υλικά (V, III-V, II-VI)

Οπτική φασματοσκοπία, Φασματοσκοπία Raman, Μη γραμμική οπτική

1982-1985 : Επιστημονικός Συνεργάτης του Γενικού Τμήματος

α. Φυσική II (Ηλεκτρομαγνητισμός), Σεπτ.-Δεκ. '81, Τμ. Χημικών Μηχανικών.

και Tμήμα Αγρον.-Τοπογράφων Μηχανικών.

Σεπτ.-Δεκ. '84 >>

του μαθήματος Lasers και Εφαρμογές

1986-1987 : Στρατιωτική θητεία ως Βοηθός Ερευνητής

(Μετρητής αποστάσεων Laser,Πλαστικό Q-switch)

1987-1988 : Επάνοδος στη θέση του Επιστημονικού Συνεργάτη

α. Εργαστήρια Φυσικής II, Φεβρ.-Ιουν. '87, Τμήμα Ναυπηγών Μηχανικών.

β. Φροντ\κές και Εργ\κές ασκήσεις του μαθήματος Lasers και Εφαρμογές

1989-1993 : Ενταξη σε θέση Λέκτορα του Γενικού Τμήματος του Ε.Μ.Π.

Εαρ. εξ. '89-90: Φυσική II-Ηλεκτρομ/μός (Τμ. Πολιτικών)

Εαρ. εξ. '90-91: (Εκπαιδευτική άδεια – MPI Stuttgart)

Χειμ. εξ. '91-92: Laser και Εφαρμογές (Τμ. Ηλεκτρ/γων)

Χειμ. εξ. '92-93: Φυσική I, Μηχανική (Τμ. Ηλεκ. Μηχ.)

1993 - 1994: Εκλογή σε θέση Επίκουρου Καθηγητή με θητεία,

1994 - 2003: Μονιμοποίηση σε θέση Επικουρου Καθηγητή του Τομέα

Εαρ. Εξ. ’01-02: Φυσική ΙΙ, Ηλεκ/μαγνητισμός (Τμ. Ηλεκτρολόγων)

Τεχνικές Πειραμαtικής Φυσικής (ΤΕΜΦΕ)

α. Συμμετοχή στη μεταφραστική ομάδα για το βιβλίο του M. Young, "Optics and Lasers, Including Fibers and Integrated Optics", Second Revised Edition, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York-Tokyo, 1984 (Εκδοση ΟΕΔΒ,1986), με τη μετάφραση της ενότητας 6 "Ολογραφία και Οπτική Fourier".

2. Jiguang Cai "Spectroscopic and Optical Studies

3. I. Kωτσαλά "Μελέτη της δομής και των Φωτοεπαγόμενων και Θερμικά

με χρήση της φασματοσκοπίας Raman "

4. Tingtun Wen "Elastic, Piezoelectric and Optical Properties

“Κατατασκευή και Φωταύγεια υπερδομών νανοκρυσταλλικού πυριτίου / οξειδίου του πυριτίου (nano-Si/SiO₂)”

8. Chenyang Xue “Δομή και Οπτικές Ιδιότητες Χαλκοπυριτών με Εφαρμογές στην Τεχνολογία Φωτοβολταϊκών”

9. Στεργίου Βασιλικής (ως Επιβλέπων, EMΠ)

“Προσδιορισμός Φωνονιακών Δυναμικών Παραμόρφωσης με Φασματοσκοπία Raman σε Συμπαγή και Νανοσκοπικά Υλικά, και χρήση τους στο Φασματοσκοπικό Χαρακτηρισμό

1. Στεργίου Βασιλική «Φασματοσκοπική Μελέτη Ημιαγώγιμων Υλικών

Raman του Te₃Cl₂».

“Σχηματισμός νανοκρυστάλλων πυριτίου σε στρώματα SiO₂, με εμφύτευση ιόντων Si⁺ ”

α. Εκπροσώπηση, κατά διαστήματα, του Τομέα Φυσικής στη Γενική Συνέλευση του Γενικού Τμήματος.

i) 1980, Επιστημονικός Υπεύθυνος Καθ. Ε. Αναστασάκης

ii) 1985, >> >> Επίκ. Καθ. Ε. Λιαροκάπης

iii) 1984, >> >> >>

iv) 1987, ΠΕΝΕΔ 87ΕΔ115 "Θερμοελαστική και Κρυσταλλοδυναμική

v) 1989, ΠΕΝΕΔ 89ΕΔ497 "Σταθεροποιημένη Κυβική Ζιρκόνια,

vi) 1989, ΠΕΝΕΔ 89ΕΔ18 "Φασματοσκοπική μελέτη άμορφων και διαταραγμένων

vii) 1997, ΠΕΝΕΔ95, “Φωταύγεια θερμών ηλεκτρονίων,

viii) 1999, ΠΕΝΕΔ99, «Κατασκευή και Χαρακτηρισμός Μικροδομών Πυριτίου

i) Ελληνο-Γερμανική, (Καθ. Ε. Αναστασάκης - Καθ. W. Richter) (ΓΓΕΤ)

ii) Ελληνο-Γαλλική, (Καθ. Ε. Αναστασάκης - Καθ. Μ. Balkanski) (ΓΓΕΤ)

iii) Ελληνο-Βουλγαρική, (Επ. Καθ. Ε. Λιαροκάπης - Καθ. Ι. Savatinova) (ΓΓΕΤ)

iv) Ελληνο-Σερβική, (Επ. Καθηγητής Γ. Σ. Ράπτης –Καθ. Z. Popovic) (ΕΜΠ)

i) NATO Linkage Grant (Athens - St. Petersbourg) “Photorefractives”

ii) Human Capital and Mobility (Athens - Barcelona) “Porous-Si”

iii) NATO-Science Fellowship (Athens - Kiev) “ZnSe-ZnS/GaAs”

iv) Brite/Euram (Durham-Freiburg-Ancona-Athens) “Vapour*Cryst / CdTe”

3. "1st and 2nd order Raman spectra of AlSb in ambient conditions. Possibilities for pressure- and/or temperature - tuned resonance" (High Pressure Group - Max Planck Institut fur Festkorperphysik, Stuttgart - Germany)

i) Μέλος της Οργανωτικής Επιτροπής του “8^th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics”, Thessaloniki, August 1998, (Satellite of the “24^th Internationa Conference of Physics of Semiconductors”, August 1998, Jerusalem).

ii) Μέλος της Οργανωτικής Επιτροπής του “XVI Πανελληνίου Συνεδρίου Φυσικής Στερεάς Κατάστασης”, Ναύπλιο, Σεπτέμβριος 2000.

Journal of Applied Physics

Journal of Crystal Growth

Journal of Physics: Condensed Matter

Journal of Physics D: Applied Physics

Journal de Physique IV

Material Science and Engineering B - Solid State Materials for Adv. Technology

Journal of Micromechanics and Microengineering

ΙΑ. ΔΗΜΟΣΙΕΥΣΕΙΣ

1. Βασικές αρχές στη φασματοσκοπία στερεού με χρήση τεχνικής σκέδασης φωτός Raman. Ε. Αναστασάκης, Ι. Ράπτης, Χ. Καλλές - Επιθεώρηση Φυσικής, τόμος 2, τεύχος 6-7, σελ. 14, Σεπτ. 1980.

2. Lasers - Αρχές λειτουργίας, Χαρακτηριστικά και Εφαρμογές. Γ. Σ. Ράπτης – Φυσικός Κόσμος, τεύχος 1, σελ. 7-12, Σεπτ.-Νοέμβριος 2000.

1. Effects of temperature gradients on the first-order Raman spectrum of Si. J. .Raptis, E. Liarokapis, and E. Anastassakis - Appl. Phys. Lett. 44, 125-127 (1984).

2. Angular dispersion of "backward" Raman scattering: Weakly absorbing cubic materials (Si). E.Anastassakis and Y.S.Raptis-J.Appl.Phys. 57, 920-928 (1985)

3. Temperature rise induced by a cw laser beam revisited. E.Liarokapis and Y.S.Raptis - J. Appl. Phys. 57, 5123-5126 (1985).

4. Raman and Infrared Spectra of Tellurium Sub-Bromide (Te2Br). E. Anastassakis, J. S. Raptis, and W. Richter - phys. stat. sol.(b) 130, 161-168 (1985).

5.Angular dispersion of "backward" Raman scattering: Absorbing cubic materials (Ge). A. Anastassiadou, Y .S. Raptis, and E. Anastassakis - J. Appl. Phys.59, 627-631 (1986).

6.Angular dispersion of "backward" Raman scattering: Absorbing III-V semiconductors (GaAs). A.Anastassiadou,Y.S.Raptis,and E.Anastassakis - J. Appl. Phys. 60, 2924-2931 (1986).

7. Raman study of SrF2 under uniaxial Stress. A. D. Papadopoulos, Y. S. Raptis and E. Anastassakis - Solid State Communications, 58, 645-648 (1986).

8. Anharmonic effects in Mg2X (X=Si,Ge,Sn) compounds studied by Raman spectroscopny. Y S. Raptis, G. A. Kourouklis, E. Anastassakis, E. Haro-Poniatowski and M.Balkanski, - J. Physique, 48, 239-245 (1987).

9. Raman and infrared phonon piezospectroscopy in InP. E. Anastassakis and Y.S. Raptis, M. Hunermann and W. Richter, and M. Cardona - Phys. Rev. B38, 7702-7709 (1988).

10. Tempereture dependence of long-wavelength optical phonons in AlSb. Y.S. Raptis and E. Anastassakis - Solid State Commun. 76, 335-338(1990).

11. Raman spectroscopic study of PrS. E. Anastassakis and Y.S Raptis - Festchrift in Honor of R.C. Leite, Eds. M. Balkanski, C.E.T.G. da Silva, M. Worlock, World Scientific, Singapore 1991, pp. 77-82.

12. Short-range order and microstructure in hydrogenated amorphous silicon. P. Danesh, B. Pantchev, I. Savatinova, E. Liarokapis and Y.S. Raptis - J. Appl. Phys. 69, 7656-7659 (1991).

13. Vibrational modes, optical excitations, and phase transition of solid C60 at high pressures. D.W. Snoke, Y.S. Raptis, and K. Syassen - Phys. Rev. B45, 14419-14422 (1992).

14. Arsenic passivation of MBE grown GaAs(100):structural and electronic properties of the decapped surfaces. U. Resch, N. Esser, Y.S. Raptis, W. Richter, J. Wasserfall, A. Foster and D.I. Westwood - Surface Science 269/270, 797-803 (1992).

15. Pressure dependence of zone-boundary phonons of AlSb. Y. S. Raptis and K. Syassen - High Pressure Research, 9/10, 31-35 (1992).

16. Raman study of C60/C70 under pressure. Y. S. Raptis, D.W. Snoke, K. Syassen, S. Roth, P. Bernier and A. Zahab - High Pressure Research, 9/10, 41-46 (1992).

17. Second-order Raman scattering in AlSb. Y.S. Raptis, E. Anastassakis and G. Kanellis - Phys. Rev. B, 46, 15801-15811 (1992).

18. Stabilized Cubic Zirconia: A Raman Study under Uniaxial Stress. Jinguang Cai,Y. S. Raptis and E. Anastassakis - Appl. Phys. Letters, 62, 2781 (1993).

19. XRD and Raman studies of low-temperature-grown GaAs epilayers. M. Calamiotou, Y.S. Raptis and E. Anastassakis, M. Lagadas and Z. Hatzopoulos - Solid State Commun, 87, 563 (1993).

20. Temperature dependence of Raman scattering in Stabilized Cubic Zirconia. J. Cai, C. Raptis, Y.S. Raptis, E. Anastassakis - Phys. Rev. B 51, 201-210 (1995).

21. Folded phonons from lateral periodicity in (311) GaAs/AlAs corrugated superlattices. Z.V. Popovic, M.B. Vukmirovic, and Y.S. Raptis, E. Anastassakis, R. Notzel, K. Ploog - Phys. Rev. B 52 (8), 5789-94 (1995).

22. Optical Studies of ZnSe-Zns/GaAs(100) Single Quantum Wells grown by Photo-assisted Vapur Phase Epiraxy. V.V. Tishchenko, Y.S. Raptis, and E. Anasstassakis, N.V. Bondar - Solid State Communications, 96 (10), 793-98 (1995).

23. Interference patterns under normal incidence in birefringent, optically active plane parallel plates, T.D. Wen, Y.S. Raptis, E. Anastassakis, I.J. Lalov, A.I. Miteva - J. Phys. D : Appl. Phys., 28, 2128-34 (1995).

24. Surface-related phonon mode in porous GaP. I.M. Tiginyanu and V.V. Ursaki, V.A. Karavanskii and V.N. Sokolov, and Y.S. Raptis and E. Anastassakis - Solid State Communications, 97, 675-678 (1996).

25. Raman scattering study of ZnInGaS₄ and CdInGaS₄ under hydrostatic pressure. E. Anastassakis, Y.S. Raptis, Sh. Ando, T. Irie, V.V. Ursaki, I.M. Tiginyanu, S.I. Radautsan, I. I. Burlakov - Cryst. Res. Technol., 31, 365-368 (1996).

26. Pressure induced phase transition in MgInGaS₄. I.M. Tiginyanu, Y.S. Raptis, V.V. Ursaki, E. Anastassakis, I.I. Burlakov - Cryst. Res. Technol., 31, 777-780 (1996).

27. Two-wave and induced three-wave mixing in thin holograms. P.M. Petrov, V.M. Petrov, Y.S. Raptis, L.P. Xu, E. Anastassakis - J. Appl. Phys., 79, 2846-2852 (1996).

28. Interference patterns under oblique incidence in birefringent optically active plane-parallel plates. A.I. Miteva, I.J. Lalov, T. Wen, Y.S. Raptis and E. Anastassakis - J. Phys. D : Appl. Phys. 29, 2705-2713 (1996).

29. Order-disorder phase transition in CdAl₂S₄ under hydrostatic pressure. I. I. Burlakov, Y. S. Raptis, V.V. Ursaki, E. Anastassakis and I.M. Tiginyanu, - Solid State Commun., 101, 377 - (1997).

30.Strain effects on InSb phonons in bulk and superlattice layers. M. Siakavellas, Y. S. Raptis, and E. Anastassakis - J. Appl. Phys., 82, 6235-6239 (1997).

31. Pressure Induced Phase Transitions in Spinel and Wurtzite Phases of ZnAl₂S₄ Compound. V. V. Ursaki, I. I. Burlakov, I. M. Tiginyanu, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, I. Aksenov and K. Sato - Jpn. J. Appl. Phys., 37, 135-140 (1998).

32. High-pressure Raman scattering study of germanium diselenide. Z. V. Popovic, Z. Jaksic, Y. S. Raptis and E. Anastassakis, - Phys. Rev. B, 57(6), 3418-3422 (1998).

33. Porous Silicon of Variable Porosity under high Hydrostatic Pressure : Raman and Photoluminescence Studies. D. Papadimitriou, Y. S. Raptis, A. G. Nassiopoulou and G. Kaltsas - phys. stat. sol.(a) 165, 43-48 (1998).

34. Pressure-induced amorphization of germanium diselenide. Z. V. Popovic, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, Z. Jaksic - Journal of Non-Crystalline Solids, 227-230, 794-798 (1998).

35.Optical phonons in spin-Peierls compound NaV₂O₅. Z. V. Popovic, M. J. Konstantinovic, R. Gajic, V. Popov, Y. S. Raptis, A. N. Vasilef, M. Isobe and Y. Ueda - J. Phys. : Condens. Matter 10, L513-L519 (1998).

36. High-pressure studies of photoluminescence in porous silicon, D. Papadimitriou, Y. S. Raptis, A. G. Nassiopoulou, Phys. Rev. B 58, 14089-14093 (1998).

37. Phase transitions in defect chalcopyrite compounds under hydrostatic pressure. V. V. Ursaki, I. I. Burlakov, I. M. Tiginyanu, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, A. Anedda, Phys. Rev. B 59, 257-268 (1999).

38. Temperature dependence of Raman scattering and anharmonicity study of MgF₂. A. Perakis, E. Sarantopoulou, Y. S. Raptis and C. Raptis, Phys. Rev. B 59, 775-782 (1999).

39. Raman Modes in Porous GaP under Hydrostatic Pressure,, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, Y. S. Raptis, V. Stergiou, E. Anastassakis, H. L. Hartnagel, A. Vogt, B. Prevot, C. Schwab, phys. stat. sol. (b) 211, 281-286 (1999).

40. Pressure and temperature-dependent Raman study of YLiF₄, E. Sarantopoulou, Y. S. Raptis, E. Zouboulis, and C. Raptis, Phys. Rev. B 59, 4154-4162 (1999).

41. Lattice vibrations in spin-Peierls compound NaV₂O₅. Z. V. Popovic, M. J. Konstantinovic, R. Gajic, V. Popov, Y. S. Raptis, A. N. Vasilef, M. Isobe and Y. Ueda, Solid State Commun. 110, 381-386 (1999).

42. Parameters influencing the fratness and stability of capasitive pressure sensors fabricated with wafer bonding, D. Goustouridis, D. Tsoukalas, P. Normand, A. G. Kontos, Y. Raptis, E. Anastassakis, Sensors and Actuators A-Physical, 76, 403-408 (1999).

43. High-pressure raman study of SnGeS3, V.C.Stergiou, Y.S.Raptis, Z.V.Popovic, E.Anastassakis, High Pressure Research, 18, 189-194 (2000).

44. Phonon deformation potentials of CdTe, V. C. Stergiou, Y. S. Raptis, E. Sarantopoulou, E. Anastassakis, N. T. Pelekanos, A. Arnoult, S. Tatarenko, K. Saminadayar, High Pressure Research, 18, 101-107 (2000).

45. Raman Study of Elastically strained Bulk and Layered Structures Based on CdTe, V. C. Stergiou, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, N. T. Pelekanos, A. Nahmani, and J. Cibert, phys. stat. sol. (b), 223, 237 (2001).

46. Vibrational Properties of SnGeS₃ under High Pressure, K. Inoue, V. Stergiou, Y. S. Raptis and Z. V. Popovic, J. Phys. Soc. Japan, 70, 3901-3907 (2001).

47. Influence of Ge implantation on the mechanical properties of polycrystalline silicon microstructures, S. Polymenakos, V. C. Stergiou, A. G. Kontos, C. Tsamis, Y. S. Raptis, D. Tsoukalas, J. Micromechanics and Microengineering, 12, 450-457, (2002).

48. High-pressure Raman study of CaV₂O₅, Z. V. Popovic, V. Stergiou, Y. S. Raptis, M. J. Konstantinovic, M. Isobe, Y. Ueda, V. V. Moshchalkov, J. Phys.: Condensed Matter, 14, L583-L589, (2002)

49. Epitaxy and structural characterization of ZnSeTe Layers grown on InP substrates, A. G. Kontos, Y. S. Raptis, M. Strassburg, U. W. Pohl, J. of Crystal Growth, 247, 17-22 (2003)

50. Growth and p-type doping of ZnSeTe on InP, M. Strassburg, M. Strassburg, O. Schulz, U. W. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.G. Kontos, Y. S. Raptis, J. Cryst. Growth, 248, 50-55 (2003).

51. Spectroscopic study of Ce- and Cr-doped LiSrAlF₆ crystals, A. G. Kontos, G. Tsaknakis, Y.S. Raptis, and A. Papayannis, E. Landulfo, S. L. Baldochi, E. Barbosa, and N. D. Vieira, Junior, J. Appl. Phys., 93(5), 2979, 2803 (2003).

52. Raman study of nitrogen-doped ZnSSe/GaAs epilayers, A. G. Kontos, Y. S. Raptis, M. Strassburg, U. W. Pohl, D. Bimberg, Thin Solid Films, 428, 185-189 (2003).

53. Piezoelectric effect on the optical phonon modes of strained cubic semoconductors: Case of CdTe quantum wells, V. C. Stergiou, N. T. Pelekanos and Y. S. Raptis, Phys. Rev. B, 67, 165304-(1-15), (2003).

54. Compositional dependence of Raman scattering and photoluminescence emission in Cu_xGa_ySe₂ thin films, C. Xue, D. Papadimitriou, Y. S. Raptis, N. Esser, W. Richter, S. Siebentritt, M. C. Lux-Steiner, J. Appl. Phys., 94, 4341-4347, (2003).

1. Φασματοσκοπική μελέτη της θερμοκρασιακής κατανομής στην επιφάνεια ημιαγωγών λόγω ακτινοβολίας laser. Ι. Ράπτης, Ε. Λιαροκάπης και Ε. Αναστασάκης, 1ο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Θεσ/νίκη 1982.

2. Φασματοσκοπική μελέτη θερμοκρασιακών βαθμίδων που αναπτύσσονται στην επιφάνεια ημιαγωγών από δέσμη laser. Γ. Ράπτης, Ε. Λιαροκάπης, και Ε. Αναστασάκης, 1ο Ελληνικό Συνέδριο " Lasers και Εφαρμογές" Κολυμπάρι Χανίων 1985.

3. Επίδραση, στα φάσματα σκέδασης Raman, των θερμοελαστικών παραμορφώσεων που δημιουργούνται από τη θέρμανση ημιαγωγών με δέσμη laser. Ι. Ράπτης, Ε. Λιαροκάπης και Ε. Αναστασάκης, 3ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Πάτρα 1987.

4. Φασματοσκοπικός προσδιορισμός κατανομών θερμοκρασίας στην επιφάνεια πυριτίου, λόγω ακτινοβολίας laser. Γ. Σ. Ράπτης, Ε. Λιαροκάπης και Ε. Αναστασάκης, 4ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Μαραθώνας 1988.

5. Θερμοκρασιακή μεταβολή σκέδασης Raman από κρυσταλλικό AlSb. Γ. Σ. Ράπτης, Ε. Αναστασάκης, 5ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ξάνθη 1989.

6. Μελέτη Φωνονίων μικρού μήκους κύματος του AlSb σε μεταβλητή πίεση. Γ. Σ. Ράπτης και K. Syassen, 7ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Θεσσαλονίκη 1991.

7. Φασματοσκοπική Μελέτη του LiYF4 σε μεταβλητή πίεση και θερμοκρασία. Γ. Σ. Ράπτης και Κ. Ράπτης, 8ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ιωάννινα 1992.

8. Φάσματα Raman της κυβικής Ζιρκόνιας υπό μονοαξονική τάση. Jiguang Cai, Γ. Σ. Ράπτης και Ε. Αναστασάκης, 8ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ιωάννινα 1992.

9. Διπλοθλαστικό και Οπτικά Ενεργό Etalon τύπου Fabry-Perot. Tingdun Wen, Γ.Σ. Ράπτης και Ε. Αναστασάκης, 8ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ιωάννινα 1992.

10. Φασματοσκοπική Μελέτη Raman υπεριοντικών γυαλιών τύπου xAgI(1-x)Ag2MoO4, σε υψηλές πιέσεις. Γ.Σ. Ράπτης, Κ. Ράπτης, Ε.Ι. Καμίτσος, Γ.Δ. Χρυσικός, Ι. Καπουτσής, 9ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Πάτρα 1993.

11. Μελέτη των φασμάτων περίθλασης ακτίνων X και Raman επιταξιακών επιστρωμάτων GaAs (byffer layers) χαμηλής θερμοκρασίας ανάπτυξης. Μ. Καλαμιώτου, Γ.Σ. Ράπτης, Ε. Αναστασάκης, Μ. Λαγκαδάς, Ζ. Χατζόπουλος, 9ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Πάτρα 1993.

12. Αναρμονική Μελέτη Σταθεροποιημένης Κυβικής Ζιρκόνιας με φασματοσκοπία Raman, J. Cai, K. Ράπτης, Γ.Σ. Ράπτης και Ε. Αναστασάκης, 10ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Δελφοί 1994.

13. Mελέτη, με οπτικές μεθόδους, απλών κβαντικών πηγαδιών ZnSe-ZnS/GaAs(100), αναπτυγμένων μα PA-VPE. V. V. Tishchenko, Γ. Σ. Ράπτης, Ε. Αναστασάκης, N.V. Bondar, 11^o Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Καταστάσεως, Ξάνθη, Σεπτέμβριος 1995.

14. Μελέτη Raman και φωταύγειας πορώδους πυριτίου σε υψηλές υδροστατικές πιέσεις. Δ. Παπαδημητρίου, Γ. Σ. Ράπτης, Α. Γ. Νασιοπούλου, Γ. Καλτσάς, 12^ο Πανελλήνιο Συνέδριος Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Κρήτη, Σεπτέμβριος 1996.

15. Μελέτη Raman σε μονοκρυστάλλους και λεπτά στρώματα InSb υπό ελαστική τάση, Μ Σιακαβέλλας, Γ. Σ. Ράπτης, και Ε. Αναστασάκης, 13^ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Θεσσαλονίκη, 21-24 Σεπτεμβρίου, 1997.

16. Μελέτη μεμβρανών Βοριωμένου Si, υπό ελαστική καταπόνηση, Α. Κόντος, Γ. Σ. Ράπτης, Ε. Αναστασάκης, Δ. Γουστουρίδης, Δ. Τσουκαλάς, 14^ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ιωάννινα, Σεπτέμβρης 1998.

17. Phonon properties of spin-Peierls compound NaV₂O₅, Z. V. Popovic, M. Konstantinovic, S. Devic, R. Gajic, V. Popov, Y. S. Raptis, A. N. Vasil’ev, M. Isobe, Y. Ueda, 14^ο Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ιωάννινα, Σεπτέμβρης 1998.

18. Φασματοσκοπική μελέτη κβαντικών πηγαδιών CdTe/Cd_1-xZn_xTe υπό ελαστική παράμορφωση, Β. Χ. Στεργίου, Ι. Σ. Ράπτης, Ε. Αναστασάκης, Ν. Θ. Πελεκάνος, στο XV Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Καταστάσεως (Πάτρα, 27-29 Σεπτεμβρίου 1999).

19. Φασματοσκοπική μελέτη ελαστικώς παραμοφωμένων συμπαγών δειγμάτων και στρωματικών δομών με βάση το CdTe, Β. Χ. Στεργίου, Γ. Σ. Ράπτης, Ε. Αναστασάκης, Ν. Θ. Πελεκάνος, XVI Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ναύπλιο 17-20 Σεπτεμβρίου 2000.

20. Φασματoσκοπική Ανάλυση Raman Μικροδομών Si, Α. Κόντος, Β. Χ. Στεργίου, Σ. Πολυμενάκος, Χ. Τσάμης, Γ. Σ. Ράπτης, Δ. Τσουκαλάς, XVI Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Ναύπλιο 17-20 Σεπτεμβρίου 2000.

21. Χαρακτηρισμός μικροδομών πολυκρυσταλλικού Si υπό στατικές και ελαστικές καταπονήσεις, Σ. Πολυμενάκος, Α. Γ. Κόντος, Β. Χ. Στεργίου, Χ. Τσάμης, Γ. Σ. Ράπτης και Δ. Τσουκαλάς, XVII Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Σεπτέμβριος 2001, Ξάνθη.

22. Επίδραση θερμοκρασίας, ενεργειών διέγερσης και πιεζοηλεκτρικών πεδίων, στα φάσματα Raman του CdTe, Β. Χ. Στεργίου, Γ. Σ. Ράπτης, Ν. Θ. Πελεκάνος, XVII Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Σεπτέμβριος 2001, Ξάνθη.

23. Επίδραση των τεχνολογικών παραμέτρων στις ιδιότητες πολυκρυσταλλικού πυριτίου για μικρομηχανικούς αισθητήρες, Α. Μητσινάκης, Μ. Κοτσάνη, Δ. Γκιργινούδη, Ν. Γεωργαλάς, Α. Θαναηλάκης, Α. Κόντος, Β. Στεργίου, και Γ. Ράπτης, XVII Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Σεπτέμβριος 2001, Ξάνθη.

24. Micro-Raman investigation of ZnSeTe epilayers grown on InP substrates with ZnCdSe buffer layers, A. G. Kontos, Y. S. Raptis, M. Straίburg and U. W. Pohl, XVII Πανελλήνιο Συνέδριο Φυσικής Στερεάς Κατάστασης, Σεπτέμβριος 2001, Ξάνθη.

β. Ανακοινώσεις σε διεθνή συνέδρια

1. Remarks on the angular distribution of light scattering from absorbing solid surfaces. E.Anastassakis, A.Anastassiadou and Y.Raptis, XVII European Congress on Molecular Spectroscopy, Madrid, 1985.

2.Raman study of AlSb. Y.S. Raptis and E. Anastassakis, 3rd Intern. Conf. on Phonon Physics, and 6th Intern. Conf. on Phonon Scattering in Condenced Matter, Heidelberg 1989.

3. Second-order Raman scattering near the indirect gap of AlSb. Yannis Raptis and Evangelos Anastassakis, 20th Intern. Conf. on the Physics of Semicond., Thessaloniki 1990.

4. Pressure dependence of zone-boundary phonons of AlSb. Yiannis S. Raptis and K. Syassen, XXIX Annual Scientific Meeting of the Europ. High Press. Research Group, Thessaloniki 1991.

5. Raman study of C60/C70 under pressure. Y.S. Raptis, D.W. Snoke, K. Syassen, S. Roth, P. Bernier and A. Zahab, XXIX Annual Scientific Meeting of the Europ. High Press. Research Group, Thessaloniki 1991.

6. Arsenic passivation of MBE grown GaAs(100): Structural and Electronic properties of the decapped surfaces. U. Resch, N. Esser, Y.S. Raptis, W. Richter, J. Wasserfall, A. Forster and D.I. Westwood, 12th European Conf. of Surface Science, 9-12 September 1991. Stickholm, Sweden.

7. XRD and Raman characterization of GaAs buffer layers grown on SI-GaAs substrates at reduced temperatures. M. Calamiotou, Y.S. Raptis, M. Lagadas, Z. Hatzopoulos and E. Anastassakis, 1st Europ. Symp. on X-ray Topogr. and high resolutiοn diffraction, Marseille 1992.

8. Stabilized Cubic Zirconia : A Raman Study under Uniaxial Stress. J. Cai, Y.S. Raptis and E. Anastassakis, 13th Gener. Conference of the Condenced Matter Division of the Europ. Phys. Society, Regensburg 1993.

9. Raman study of LiYF4, under variable pressure and temperature: observation of a pressure induced phase transition. C. Raptis and Y.S. Raptis, 13th Gener. Conference of the Condenced Matter Division of the Europ. Phys. Society, Regensburg 1993.

10. Growth mode and interface formation of In on GaAs(001) - (2x4). U.Resch, N. Blick, Y. S. Raptis, N. Esser, Th. Werningaus, U. Rossow, W. Richter, 4th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, 14-18 June 1993, Julich, Germany.

11. High pressure Raman study of the superionic glass xAgI(1-x)Ag2MoO4. Y.S. Raptis, C. Raptis, E. Kamitsos, G, Chryssikos, I. Kapoutsis, 14th General Conference of the Condenced Matter Division of the European Physical Society, Madrid 1994.

12. Optical studies of Ga2Se3, under variable pressure and temperature. J.Cai, T. Wen, Y.S. Raptis, E. Anastassakis, M. v.d. Emde, Α. Markl, A. Krost, W. Richter, D.R.T. Zahn, 14th General Conference of the Condenced Matter Division of the European Physical Society, Madrid 1994.

13. Luminescence from Silicon Nanostructures fabricated by using conventional Lithographic and Reactive Ion Etching techniques. A.G. Nassiopoulos, S. Grigoropoulos, A. Travlos, S. Ladas, S. Kennou, I. Raptis, D. Papadimitriou, 187th General Meeting of the Electrochemical Society, U.S.A. 1995.

14. Optical studies of ZnSe-ZnS/GaAs(100) Single Quantum Well, V.V. Tishchenko, M.S. Brodin, Y.S. Raptis and E. Anastassakis, 7th International Conference on II-VI Compounds and Devices, Edinburg, 1995

15. Pressure induced phase transition in crystalline ZnAl₂S₄ ,V.V. Ursaki, Y.S. Raptis, I.M. Tiginyanu, E. Anastassakis, I.I. Burlakov, N.A. Moldovyan, 10th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Stuttgart 1995.

16. Study of elastically strained porous silicon for potential use in micro-IR-sensors. D. Papadimitriou, Y.S. Raptis, E. Anastassakis, 15th General Conf. of the Condenced Matter Division of the European Physical Society, Baveno 1996, Italy.

17. Laser induced fluorescence as a diagnostic tool in atherosclerosis, N. Anastassopoulou, B. Arapoglou, P. Demakakos, M. Makropoulou, A. Paphiti, Y. S. Raptis, A. A. Serafetinides, Ninth International School on Quantum Electronics : Lasers - Physics and Applications, Varna, BULGARIA, September 1996, Proceedings SPIE, 3052, 394 (1996).

18. Interface roughness and confined LO phonon modes in (ZnSe)₂(ZnS)₁₁/GaAs(100) superlattices grown by PAVPE, V. V. Tishchenko, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, Internationa Conference on Optical Diagnosis of Materials and Devices for Opto- Micro- and Quantum Electronics (OPTDIM-97), Kiev, UKRAINE, 13-15 May, 1997. SPIE Proceed. -“Int. Conf. on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro- and Quantum Electronics - OPTDIM’97”, 13-15 May 1997, Kyiv, Ukraine, p. 346-350.

19. Pressure-induced amorphization of germanium diselenide. Z. V. Popovic, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, Z. Jaksic, 17^th Internationsl Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors (ICAMS-17), Budapest HUNGARY, 25-29 August 1997.

20. Porous Silicon of Variable Porosity under high Hydrostatic Pressure : Raman and Photoluminescence Studies. D. Papadimitriou, Y. S. Raptis, A. G. Nassiopoulou and G. Kaltsas, 2^nd Int. Workshop on Light Emitting Low Dimensional Si-structures, Lagonissi Attiki, June 1997.

21. Raman scattering study of pressure-induced phase transition in ZnAl_2(1-X)Ga_2xS₄. V. V. Ursaki, I. I. Burlakov, I. M. Tiginyanu, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, A. Anedda and A. Serpi, 11^th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds, ICTMC-11, Salford, 8-12, September 1997, Proceedings : Inst. Phys. Conf. Ser. No 152 : Section D: Optical and Electrical Properties, p. 605-608, IOP Publ. Ltd, 1998.

22. Raman Modes in Porous GaP under Hydrostatic Pressure,, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, Y. S. Raptis, V. Stergiou, E. Anastassakis, H. L. Hartnagel, A. Vogt, B. Prevot, C. Schwab, VIII^th Int. Conf. on High Pressure Semiconductor Physics, Thessaloniki, Greece, 9-13 August, 1998.

23. Raman study of ZnAl_2(1-x)Ga_2xS₄ (x=0.1, 0.2, 0.4), under repeated Hydrostatic-Pressure Cycles,Y. S. Raptis, E. Anastassakis, V. V. Ursaki and I. M. Tiginyanu, XVI^th Int. Conf. on Raman Spectroscopy, (ICORS-16), Cape Town, 1998, Ed. A.M. Heyns, John Wiley &Sons, Chichester 1998.

24. Raman study of ZnWO₄ under variable Pressure and Temperature, A. Perakis, E. Sarantopoulou, Y. S. Raptis and C. Raptis, XVI^th Int. Conf. on Raman Spectroscopy, (ICORS-16), Cape Town, 1998.

25. Parameters influencing the fratness and stability of capasitive pressure sensors fabricated with wafer bonding, D. Goustouridis, D. Tsoukalas, P. Normand, A. G. Kontos and E. Anastassakis,, Eurosensors XI, 1998.

26. Laser excited autofluorescence for discrimination of atherosclerosis, M. Makropoulou, H. Drakaki, N. Anastassopoulou, Y.S. Raptis. A. A. Serafetinides, A. Pafiti, B. Tsiligris, B. Arapoglou and P. Demakakos, Proceedings of Medical Applications of Lasers in Dermatology, Cardiology, Ophthalmology, and Dentistry II, 12-15 Sept. 1998, Stockholm, Sweden, SPIE, 3564, 68-75 (1999).

27. High-pressure raman study of SnGeS3, V.C.Stergiou, Y.S.Raptis, Z.V.Popovic, E.Anastassakis, XXXVII Meeting of the European High Pressure Research Group, Montpellier, 9-11 September 1999.

28. Phonon deformation potentials of CdTe, V. C. Stergiou, Y. S. Raptis, E. Sarantopoulou, E. Anastassakis, N. T. Pelekanos, A. Arnoult, S. Tatarenko, K. Saminadayar, XXXVII Meeting of the European High Pressure Research Group, Montpellier, 9-11 September 1999.

29. Raman Study of Elastically Strained Bulk and Layered Structures based on CdTe, V. C. Stergiou, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, N. T. Pelekanos, A. Nahmani, J. Cibert, 9^th High Pressure Semiconductor Physics, Sapporo, 24-28 September, 2000.

30. Influence of Ge Implantation on the Mechanical Properties of Polycrystalline Silicon Microstructures, S. Polymenakos, V. C. Stergiou, A. G. Kontos, Chr. Tsamis, Y. S. Raptis, D. Tsoukalas, 12^th Micro Mechanics Europe, Cork, Ireland, 16 September 2001.

31. Strain Characterization, by Raman Spectroscopy, of Epitaxially Grown Superlattices. M. Siakavellas, A. G. Kontos and Y. S. Raptis, NATO Advanced Research Workshop On Atomistic Aspects of Epitaxial Growth, Corfu, 25-30 June, 2001.

32. Temperarure and Composition Dependence of Raman Scattering and Photoluminescence Emission in CuGase₂ Thin Films, C. Xue, D. Papadimitriou, Y. S. Raptis, N. Esser, W. Richter, S. Siebentritt, M. Ch. Luxsteiner, NATO Advanced Stusy Institute: Photovoltaic and Photoactive Materials, Properties Technology and Applications, Sozopol, Bulgaria, September 2001.

33. Structural and Optical Characterization of CuGaSe₂ Thin Films under Excitation with Above and Below Band Gap Laser Light, C. Xue, D. Papadimitriou, N. Esser, W. Richter, S. Siebentritt, M. Ch. Luxsteiner, 2002 MRS Spring Meeting, San Francisco, California, April 2002.

34. Raman study of nitrogen-doped ZnSSe/GaAs epilayers, A.G. Kontos, Y.S. Raptis, M. Straίburg, U.W. Pohl, D. Bimberg, E-MRS 2002 Spring Meeting, Strasburg, June 18-21, 2002.

ΙΓ. ΑΝΑΛΥΣΗ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ

Η διατριβή αναφέρεται στη μελέτη των θερμικών και θερμοελαστικών φαινομένων, που δημιουργεί στην περιοχή εστίασης μία δέσμη laser συνεχούς λειτουργίας, πάνω στην επιφάνεια κρυσταλλικού πυριτίου (Si), και αποτελείται από τρία κεφάλαια:

I Θεωρητικό και πειραματικό υπόβαθρο, II Θεωρητικοί υπολογισμοί-Πειραματικά αποτελέσματα, III Συμπεράσματα-Επίλογος

Το πρώτο κεφάλαιο είναι εισαγωγικό, ενώ το δεύτερο αποτελεί τη συμβολή της διατριβής. Στο τρίτο κεφάλαιο συνοψίζονται τα συμπεράσματα. Στο πρώτο κεφάλαιο περιγράφεται συνοπτικά η κρυσταλλοδυναμική στην αρμονική προσέγγιση και η αλληλεπίδραση Η/Μ ακτινοβολίας και πλεγματικών ταλαντώσεων. Παρουσιάζεται η επίδραση που έχουν, στα χαρακτηριστικά των ζωνών σκέδασης Raman, τα αναρμονικά φαινόμενα. Μελετάται επίσης η μεταβολή των οπτικών συναρτήσεων με τη θερμοκρασία και η πυκνότητα ενδογενών φορέων σε σχέση με την επίδρασή τους στο φάσμα Raman. Στη συνέχεια εκτίθενται υπολογισμοί κατανομών θερμοκρασίας και θερμοελαστικών παραμορφώσεων, λόγω ακτινοβολίας laser. Περιγράφεται τέλος η πειραματική διάταξη φασματοσκοπίας Raman που χρησιμοποιήθηκε για τις μετρήσεις της διατριβής.

Στο Θεωρητικό μέρος του δευτέρου κεφαλαίου αναπτύσσεται κατ'αρχήν μία διόρθωση στον υπολογισμό της κατανομής θερμοκρασιών, η οποία οφείλεται στην εξάρτηση των οπτικών συναρτήσεων του πυριτίου από την θερμοκρασία και το μήκος κύματος της ακτινοβολίας laser. Στη συνέχεια υπολογίζεται η άρση του τριπλού εκφυλισμού του οπτικού φωνονίου του πυριτίου, η οποία προκαλείται από τις θερμοελαστικές παραμορφώσεις, που επάγονται στην επιφάνεια του ημιαγωγού, λόγω της ανομοιογενούς θέρμανσης από τη δέσμη του laser. Τέλος, αναπτύσσεται ένα μοντέλο για τον υπολογισμό των φασμάτων σκέδασης στην περίπτωση που η δέσμη ανίχνευσης Raman αποτελεί ταυτόχρονα και πηγή θέρμανσης του υλικού.

Στο πειραματικό μέρος του δευτέρου κεφαλαίου περιγράφεται, κατ' αρχήν, η διαδικασία μέτρησης, η οποία στηρίζεται στον προσδιορισμό μέγιστης δυνατής εστίασης της δέσμης του laser, με φασματοσκοπικά κριτήρια. Μελετάται η επίδραση των βαθμίδων θερμοκρασίας στο συνολικό φάσμα Raman, για διαφορετικά μήκη κύματος, διαφορετική θερμοκρασία υποβάθρου καθώς και για πυρίτιο με μεγάλη πυκνότητα ελευθέρων φορέων τύπου p. Το πειραματικό μέρος του δευτέρου κεφαλαίου κλείνει με τον υπολογισμό κατανομών θερμοκρασίας από φάσματα Raman που έχουν ληφθεί με άγνωστη θερμοκρασία υποβάθρου, και την περιγραφή μιας πρώτης προσπάθειας αποσυνέλιξης των φασμάτων Raman, με στόχο την παραγωγή κατανομών θερμοκρασίας με μοναδικό δεδομένο τη μορφή της ζώνης σκέδασης.

Στο τρίτο κεφάλαιο σχολιάζεται η σχέση θεωρητικών προβλέψεων και πειραματικών αποτελεσμάτων. Επισημαίνονται αποκλίσεις από τα αναμενόμενα αποτελέσματα και προτείνεται ερμηνεία αυτών των αποκλίσεων. Τέλος προτείνονται κατευθύνσεις για την περαιτέρω μελέτη παρόμοιων προβλημάτων, από τη σκοπιά κυρίως της μικροανίχνευσης Raman.

ΙΔ. ΑΝΑΛΥΣΗ ΔΗΜΟΣΙΕΥΣΕΩΝ

1. Effects of temperature gradients on the first-order Raman spectrum of Si. J.Raptis, E.Liarokapis, and E.Anastassakis - Appl. Phys. Lett. 44, 125 (1984).

Σ' αυτή την εργασία παρουσιάζονται αποτελέσματα των μετρήσεων του, πρώτης-τάξης, φάσματος Raman, που λαμβάνονται από δοκίμια πυριτίου, τα οποία διεγείρονται από ισχυρή δέσμη laser.

Το χαρακτηριστικό αυτών των πειραμάτων είναι ότι η έντονα εστιασμένη ισχυρή δέσμη laser, εκτός από μέσον διέγερσης μη ελαστικής σκέδασης φωτός Raman, αποτελεί ταυτόχρονα και πηγή θέρμανσης του ημιαγωγού. Η κατανομή θερμοκρασίας μάλιστα που αναπτύσσεται λόγω του laser στον όγκο σκέδασης χαρακτηρίζεται από ισχυρές βαθμίδες θερμοκρασίας, των οποίων η τιμή αυξάνει από 50-150 K/μm καθώς πλησιάζουμε το δείγμα του Si στο εστιακό επίπεδο του φακού εστίασης της δέσμης του laser. Παρατηρείται τότε μία ασύμμετρη διεύρυνση των ζωνών σκέδασης Stokes και Antistokes προς τις χαμηλότερες σχετικές συχνότητες, η οποία συνοδεύεται από μία παράλληλη ελάττωση της σκεδαζόμενης έντασης. Γίνεται πειραματική μελέτη αυτής της συστηματικής συμπεριφοράς για διαφορετικές ισχείς και διαφορετικό βαθμό εστίασης της δέσμης του laser και προτείνεται σαν κύριος λόγος της ασύμμετρης διεύρυνσης των φασμάτων Raman η παρουσία βαθμίδων θερμοκρασίας στον όγκο σκέδασης. Θεωρώντας τη μορφολογία των ζωνών σκέδασης σαν αποτέλεσμα ενός είδους "συνέλιξης" της ενεργού διατομής σκέδασης και της κατανομής θερμοκρασιών γίνεται μία πρώτη φασματοσκοπική εκτίμηση της μέγιστης θερμοκρασίας που επικρατεί στο κέντρο της κηλίδας του laser με βάση τις "καταληκτικές" συχνότητες των φασμάτων προς την πλευρά της γραμμής του laser.

2. Angular dispersion of "backward" Raman scattering: Weakly absorbing cubic materials (Si). E.Anastassakis and Y. S. Raptis - J. Appl. Phys. 57, 920 (1985).

Η εξάρτηση της σκεδαζόμενης έντασης Raman από τις γωνίες που σχηματίζουν οι δέσμες διέγερσης και σκέδασης και τα ανύσματα πόλωσης διεγείρουσας και σκεδαζόμενης ακτινοβολίας με τις χαρακτηριστικές κρυσταλλογραφικές διευθύνσεις μονοκρυσταλλικών δειγμάτων είναι αποτέλεσμα γνωστών κανόνων επιλογής οι οποίοι εξαρτώνται από τη συμμετρία του σκεδάζοντος μέσου.

Σ' αυτή την εργασία μελετάται η επιπλέον επίδραση που έχει στη γωνιακή κατανομή της σκεδαζόμενης έντασης ο δείκτης διάθλασης του σκεδάζοντος μέσου. Οι θεωρητικοί υπολογισμοί αναφέρονται σε κυβικά υλικά με μικρό συντελεστή απορρόφησης και παίρνουν υπόψη τους τη διόρθωση στερεάς γωνίας κατά τη μετάβαση από το υλικό σκέδασης στον ελεύθερο χώρο όπου γίνεται η πραγματική μέτρηση καθώς και τη μεταβολή των συντελεστών ανάκλασης διεγείρουσας και σκεδαζόμενης ακτινοβολίας στη διαχωριστική επιφάνεια. Τα αποτελέσματα των υπολογισμών συγκρίνονται με πειραματικές μετρήσεις από τις επιφάνειες [100] και [111] καθαρού πυριτίου (n=4.225, κ=0.061). Πειραματικά αποτελέσματα και θεωρητικοί υπολογισμοί βρίσκονται σε πολύ καλή σύμπτωση και δείχνουν ότι η παραδοχή της "σχεδόν τέλειας" οπισθοσκέδασης, για σκοτεινά υλικά μεγάλου δείκτη διάθλασης, είναι προσεγγιστική. Αυτό ισχύει τόσο για τη διάταξη επιτρεπόμενης σκέδασης όσο και για απαγορευτικούς συνδυασμούς πολώσεων οπότε παρατηρείται ότι για μικρές αποκλίσεις από την "ακριβώς τέλεια" οπισθοσκέδαση υπάρχουν, παρά τη μεγάλη τιμή του δείκτη διάθλασης, αποκλίσεις από τους κανόνες επιλογής. Δίνεται η γωνιακή μεταβολή της σκεδαζόμενης έντασης για τις πιο χρήσιμες γεωμετρίες σκέδασης και για διαφορετικές γωνίες ανάμεσα στη διεγείρουσα και τη σκεδαζόμενη ακτινοβολία, καθώς και ενδεικτικές μετρήσεις για κάθε οικογένεια θεωρητικών αποτελεσμάτων.

3. Temperature rise induced by a cw laser beam revisited. E. Liarokapis and Y. S. Raptis - J. Appl. Phys. 57, 5123 (1985).

Η λύση της διαφορικής εξίσωσης διάχυσης της θερμότητας, σε ένα ημιάπειρο μέσο, όταν πηγή θέρμανσης είναι μία δέσμη laser με Γκαουσιανή κατανομή έντασης, είναι γνωστή από τη βιβλιογραφία, τόσο για την περίπτωση που η θερμική αγωγιμότητα του υλικού είναι ανεξάρτητη από τη θερμοκρασία όσο και για την περίπτωση που η θερμική αγωγιμότητα του υλικού είναι έντονη συνάρτηση της θερμοκρασίας, όπως συμβαίνει με το πυρίτιο από τους 300K μέχρι το σημείο τήξης (1685K). Σ' αυτή την εργασία υπολογίζεται η κατανομή θερμοκρασίας από την ίδια πηγή θέρμανσης όταν, εκτός από την θερμική αγωγιμότητα, μεταβάλλονται έντονα με τη θερμοκρασία και οι οπτικές συναρτήσεις του υλικού, όπως συμβαίνει με το πυρίτιο. Στη συγκεκριμένη περίπτωση υπολογίζεται η συνάρτηση Green για μία σημειακή πηγή θέρμανσης και στη συνέχεια ολοκληρώνεται με επαναληπτική μέθοδο σε όλο τον όγκο που φωτίζεται από τη δέσμη του laser. Η μέθοδος συγκλίνει γρήγορα και τα αποτελέσματα αυτών των υπολογισμών έχουν σημαντικές διαφορές από τις θερμοκρασίες που προτείνονται στη βιβλιογραφία όταν θεωρείται ότι οι οπτικές συναρτήσεις του Si δε μεταβάλλονται σημαντικά με τη θερμοκρασία. Η διόρθωση της μέγιστης θερμοκρασίας λόγω των οπτικών συναρτήσεων εξαρτάται από το μήκος κύματος, και προκαταρκτικές μετρήσεις για την γραμμή 647.1 nm του laser του Kr+ συμφωνούν με τα αποτελέσματα αυτής της εργασίας.

4. Raman and Infrared Spectra of Tellurium Sub-Bromide (Te2Br). E. Anastassakis, J. S. Raptis, and W. Richter - phys. stat. sol.(b) 130, 161 (1985).

Η εργασία αυτή, στην οποία μελετώνται οι οπτικές ταλαντώσεις από το κέντρο της ζώνης Brillouin του ορθορομβικού υποβρωμιούχου τελουρίου, είναι αποτέλεσμα του προγράμματος Ελληνο-Γερμανικής συνεργασίας. Λόγω του μεγάλου αριθμού ατόμων ανά μοναδιαία κυψελίδα (24) υπάρχουν 69 οπτικοί ρυθμοί ταλάντωσης, από τους οποίους οι περισσότεροι είναι, κατ' αρχήν, παρατηρήσιμοι τόσο με σκέδαση Raman όσο και με μετρήσεις ανακλαστικότητας υπερύθρου. Επειδή όμως από τα δείγματα του Te₂Br λαμβάνονται επιφάνειες καλής οπτικής ποιότητας μόνο με απόσχιση κάθετα στον άξονα x, μειώνεται ο αριθμός των παρατηρήσιμων ρυθμών ταλάντωσης. Επειδή επίσης σε θερμοκρασία δωματίου, ακόμη και με μικρές ισχείς laser, δημιουργούνται συσσωματώματα Te στην επιφάνεια σκέδασης, οι μετρήσεις Raman έγιναν σε χαμηλές θερμοκρασίες. Για τον προσδιορισμό της συμμετρίας των οπτικών ταλαντώσεων με βάση τους κανόνες επιλογής έγινε χρήση φασμάτων Raman σε 4K και 95K και μετρήσεις ανακλαστικότητας υπερύθρου σε θερμοκρασία δωματίου. Η ταυτοποίηση δίνει τα ίδια αποτελέσματα για όσα φωνόνια αναδεικνύονται και με τις δύο αυτές μεθόδους. Για τέσσερα από τα παρατηρούμενα φωνόνια, με την εντονότερη οπισθοσκέδαση Raman, μετρήθηκε η μεταβολή της συχνότητας ταλάντωσης και του χρόνου ζωής με τη θερμοκρασία, μέχρι τους 250-300K. Η μεταβολή αυτών των χαρακτηριστικών με τη θερμοκρασία αποδίδεται σε αναρμονικά φαινόμενα τρίτης και τέταρτης τάξης.

5. Angular dispersion of "backward" Raman scattering: Absorbing cubic materials (Ge). A.nastassiadou,Y. S. Raptis, and E.Anastassakis - J. Appl. Phys. 59, 627 (1986).

Η εργασία αυτή αποτελεί επέκταση της εργασίας 2, για την περίπτωση απορροφητικών υλικών. Η πεπερασμένη τιμή του συντελεστή απορρόφησης μεταβάλλει και την γωνιακή εξάρτηση των συντελεστών ανάκλασης της διεγείρουσας και της σκεδαζόμενης ακτινοβολίας, και την κατάσταση πόλωσης των αντίστοιχων ηλεκτρομαγνητικών πεδίων στο εσωτερικό του σκεδάζοντος υλικού. Λόγω της μή εγκαρσιότητας του ηλεκτρομαγνητικού πεδίου στο εσωτερικό απορροφητικών υλικών έχουμε μία δεύτερη πηγή παραβίασης των κανόνων επιλογής. Δίνονται αποτελέσματα αναλυτικών υπολογισμών για τη γωνιακή μεταβολή της σκεδαζόμενης έντασης πολλών χρησιμοποιούμενων γεωμετριών σκέδασης, για την περίπτωση μη μηδενικού συντελεστή απορρόφησης. Οι διαφορές στη γωνιακή εξάρτηση ανάμεσα στις περιπτώσεις κ=0 και κ=0 εξαρτώνται βέβαια από την τιμή του κ. Για την περίπτωση του Ge (n=4.780, κ=2.508), οι πειραματικές μετρήσεις της γωνιακής εξάρτησης της σκεδαζόμενης έντασης βρίσκονται σε συμφωνία με τους θεωρητικούς υπολογισμούς, και όπου αναμένεται διαφορά από τα αποτελέσματα της εργασίας 2, λόγω μη μηδενικού συντελεστή απορρόφησης, αυτή είναι παρατηρήσιμη.

6. Angular dispersion of "backward" Raman scattering: Absorbing III-V semiconductors (GaAs). A. Anastassiadou, Y. S. Raptis, and E. Anastassakis - J. Appl. Phys. 60, 2924 (1986).

Στην εργασία αυτή επεκτείνονται οι υπολογισμοί των εργασιών 2 και 5 για την περίπτωση μη κεντροσυμμετρικών κυβικών υλικών. Δίνονται τα αποτελέσματα αναλυτικών υπολογισμών για τη γωνιακή εξάρτηση της σκεδαζόμενης έντασης από διαμήκη οπτικά (LO) και εγκάρσια οπτικά (TO) φωνόνια από μη κεντροσυμμετρικά υλικά με μη μηδενικό συντελεστή απορρόφησης. Αποδεικνύεται, για πολλές χρησιμοποιούμενες γεωμετρίες σκέδασης, ότι ο λόγος ολοκληρωμένων εντάσεων LO/TO εξαρτάται με διαφορετικό τρόπο από τις γωνίες διέγερσης και ανίχνευσης. Η γωνιακή αυτή μεταβολή βρίσκεται σε συμφωνία με μετρήσεις από διαμήκη και εγκάρσια οπτικά φωνόνια του, τεχνολογικού ενδιαφέροντος υλικού, GaAs (n=4.215, κ=0.377). Υπολογίζεται η γωνιακή μεταβολή του παράγοντα διόρθωσης των σκεδαζομένων εντάσεων LO/TO, λόγω κανόνων επιλογής, για γεωμετρίες που επιτρέπουν ταυτόχρονη ανίχνευση των δύο οπτικών ταλαντώσεων, και με βάση αυτά τα αποτελέσματα δίνεται η τιμή του συντελεστή Faust-Henry του GaAs, όπως προκύπτει από ανεξάρτητες μετρήσεις σε τρείς διαφορετικές γωνίες διέγερσης-ανίχνευσης από την επιφάνεια [111], με πολώσεις διέγερσης-ανίχνευσης στο επίπεδο σκέδασης.

7. Raman study of SrF₂ under uniaxial Stress. A. D. Papadopoulos, Y. S. Raptis and E. Anastassakis - Solid State Communications, 58, 645 (1986).

Μελετάται η επίδραση μονοαξονικών τάσεων στο πρώτης τάξης φάσμα Raman του φθοριούχου στροντίου, για θερμοκρασία δωματίου. Ο τριπλός εκφυλισμός του, ενεργού σε σκέδαση Raman, οπτικού φωνονίου του SrF₂, αίρεται εν μέρει κατά την εφαρμογή μονοαξονικών τάσεων, επειδή με αυτό τον τρόπο χαμηλώνει η συμμετρία του κρυστάλλου. Μετρήθηκε η μετατόπιση συχνότητας του απλού και του διπλά εκφυλισμένου φωνονίου ως συνάρτηση του μέτρου της μονοαξονικής τάσης. Χρησιμοποιώντας τα αποτελέσματα ανεξαρτήτων μετρήσεων από μονοαξονικές τάσεις παράλληλες στις κρυσταλλογραφικές διευθύνσεις [100] και [111] υπολογίζονται τα τρία ανεξάρτητα φωνονιακά δυναμικά παραμόρφωσης του υλικού, καθώς και η παράμετρος Gruneisen του φωνονίου, και συγκρίνονται με τα ίδια μεγέθη άλλων μελών της οικογένειας των φθοριούχων αλκαλικών γαιών.

8. Anharmonic effects in Mg2X (X=Si,Ge,Sn) compounds studied by Raman spectroscopny. Y. S. Raptis, G. A. Kourouklis, E. Anastassakis, E. Haro - Poniatowski and M. Balkanski - J. Physique, 48, 239 (1987).

Αυτή η εργασία, στην οποία μελετώνται τα αναρμονικά φαινόμενα τριών ημιαγωγών χαμηλού ενεργειακού χάσματος με δομή αντι-φθοριούχο, είναι αποτέλεσμα του προγράμματος Ελληνο-Γαλλικής συνεργασίας. Μετρήθηκε η μεταβολή της συχνότητας και του χρόνου ζωής των πλεγματικών ταλαντώσεων με την αύξηση της θερμοκρασίας, για ομοιόμορφη θέρμανση των δειγμάτων, καθώς επίσης και η μετατόπιση συχνότητας ως συνάρτηση υψηλών υδροστατικών πιέσεων που εφαρμόζονται με τη βοήθεια κυψελίδος διαμαντιού. Χρησιμοποιώντας τις μετρήσεις των υδροστατικών πιέσεων υπολογίζονται οι παρά-μετροι Gruneisen και συγκρίνονται με αποτελέσματα μονοαξονικών τάσεων. Από τις ίδιες μετρήσεις σε συνδυασμό με στοιχεία, από τη βιβλιογραφία, για τη θερμοκρασιακή μεταβολή της συμπιεστότητας και της θερμικής διαστολής όγκου, προσδιορίζεται η συνεισφορά της θερμικής διαστολής όγκου (έμμεσα αναρμονικά φαινόμενα) στη μετατόπιση της συχνότητας των φωνονίων των τριών υλικών υπό ομοιόμορφη θέρμανση. Από την υπόλοιπη μετατόπιση συχνότητας καθώς και τη θερμοκρασιακή διεύρυνση των φασμάτων Raman (ελάττωση του χρόνου ζωής των φωνονίων) υπολογίζεται ή συμμετοχή καθ' αυτώ αναρμονικών διαδικασιών (άμεσα αναρμονικά φαινόμενα) τριών και τεσσάρων φωνονίων στη θερμοκρασιακή μεταβολή των πλεγματικών ταλαντώσεων. Η σχετική συνεισφορά άμεσων και έμμεσων αναρμονικών φαινομένων είναι περίπου η ίδια, σε συμφωνία με τον ομοιοπολικό χαρακτήρα αυτών των υλικών.

9. Raman and infrared phonon piezospectroscopy in InP. E. Anastassakis and Y. S. Raptis, M. Hunermann and W. Richter, and M. Cardona - Phys. Rev. B38, 7702-7709 (1988).

Σ' άυτή την εργασία που είναι επίσης άποτέλεσμα της Ελληνο-Γερμανικής συνεργασίας, μελετάται η επίδραση των μονοαξονικών τάσεων στα φωνόνια μεγάλου μήκους κύματος του InP, με φασματοσκοπικές μεθόδους σκέδασης Raman και ανακλαστικότητας υπερύθρου. Χρησιμοποιώντας γραμμές laser στο υπέρυθρο και στο ορατό μετρήθηκαν φάσματα Raman τόσο στην περιοχή που το υλικό είναι διαπερατό όσο και στην περιοχή που το υλικό είναι σκοτεινό, αντίστοιχα. Από τη μετατόπιση συχνότητας των φωνονίων LO και TO, υπολογίζονται τα δυναμικά παραμόρφωσης των ανωτέρω φωνονίων καθώς και του ενεργού φορτίου του υλικού, ενώ από το διορθωμένο λόγο των ολοκληρωμένων εντάσεων σκέδασης υπολογίζεται ο συντελεστής Faust- Henry στο ορατό και στο υπέρυθρο. Από τη σύγκριση των αποτελεσμάτων Raman με εκείνα της ανακλαστικότητας υπερύθρου προκύπτει μία χαλάρωση της εφαρμοζόμενης τάσης στις επιφανειακές περιοχές των δειγμάτων.

10. Tempereture dependence of long-wavelength optical phonons in AlSb. Y. S. Raptis and E. Anastassakis - Solid State Commun. 76, 335-338 (1990).

Μελετάται η θερμοκρασική μεταβολή του εγκάρσιου και του διαμήκους οπτικού φωνονίου, μεγάλου μήκους κύματος, του AlSb. Προσδιορίζονται, σα συνάρτηση της θερμοκρασίας, οι συνεισφορές των άμεσων και έμμεσων αναρμονικών φαινομένων στη μετατόπιση συχνότητας και στη μεταβολή του χρόνου ζωής των ανωτέρω φωνονίων. Παρατηρείται μία μικρή σύγκλιση συχνοτήτων ανάμεσα στις διαμήκεις και στις εγκάρσιες ταλαντώσεις, με την αύξηση της θερμοκρασίας, ενώ από τη θερμοκρασιακή μεταβολή του χρόνου ζωής συνάγεται η σχεδόν μηδενική συνεισφορά των πλεγματικών ατελειών στη διεύρυνση των ζωνών σκέδασης.

11. Raman spectroscopic study of PrS. E. Anastassakis and Y. S Raptis - Festchrift in Honor of R.C. Leite, Eds. M. Balkanski, C.E.T.G. da Silva, M. Worlock, World Scientific, Singapore 1991, pp. 77-82.

Η μεταλλική αυτή ένωση της σπάνιας γαίας Pr με το θείο, μελετάται σε διάφορες θερμοκρασίες, για την περιοχή συχνοτήτων 50 - 650 cm^-1. Λόγω δομής το υλικό αυτό δεν δίδει πρώτης - τάξης φάσμα Raman, δεν υπάρχουν δε μελέτες υπερύθρου λόγω του μεταλλικού του χαρακτήρα. Μετρήσεις με διαφορετικές συχνότητες διέγερσης έδειξαν εντονώτερη σκέδαση στην μπλέ περιοχή του φάσματος. Μα βάση τη θερμοκρασική συμπεριφορά και κατ' αναλογία με άλλα μονοχαλκογενή σπανίων γαιών, αποδίδονται οι περισσότερες ζώνες σκέδασης Raman σε συνδυασμούς και αρμονικές των ακουστικών και οπτικών κλάδων από τα όρια της ζώνης Brillouin.

12. Short-range order and microstructure in hydrogenated amorphous silicon. P. Danesh, B. Pantchev, I. Savatinova, E. Liarokapis and Y. S. Raptis - J. Appl. Phys. 69, 7656-7659 (1991).

Στην εργασία αυτή, που είναι αποτέλεσμα της Ελληνο - Βουλγαρικής συνεργασίας, μελετάται η σχέση ανάμεσα στα μικροδομικά χαρακτηριστικά και στην τάξη μικρής εμβέλειας λεπτών επιστρώσεων υδρογονομένου αμόρφου πυριτίου. Οι ιδιότητες των επιστρώσεων αλλάζουν μεταβάλλοντας την ισχύ της εκκένωσης ραδιοσυχνοτήτων στο στάδιο της παρασκευής. Τα μικροδομικά χαρακτηριστικά (πυκνότητα πόρων στις επιστρώσεις) προσδιορίζονται με την τεχνική της ανταλλαγής ιόντων (FAIE). Η μεταβολή της τάξης μικρής εμβέλειας μελετάται με φασματοσκοπία Raman. Από την προσαρμογή των φασμάτων Raman του άμορφου πυριτίου παρατηρείται μία συσχέτιση ανάμεσα στα μικροδομικά χαρακτηριστικά (πορώδες) και στα χαρακτηριστικά της ΤΟ ζώνης σκέδασης (των οποίων η εσωτερική σχέση ω=ω(Γ) υποδηλώνει την παρουσία διαφορετικών γωνιών ανάμεσα στους δεσμούς Si-H. Αυτή η κατανομή των γωνιών είναι υπεύθυνη για τη χαλάρωση των καταπονήσεων στις επιστρώσεις του αμόρφου πυριτίου, η σχέση της δε με τη μικροδομή εξηγεί και το θετικό ρόλο μιας βέλτιστης πυκνότητας πόρων στην ποιότητα των επιστρώσεων a-Si:H.

13. Vibrational modes, optical excitations, and phase transition of solid C₆₀ at high pressures. D. W. Snoke, Y. S. Raptis, and K. Syassen - Phys. Rev. B45, 14419-14422 (1992).

Στην εργασία αυτή, που είναι αποτέλεσμα της συνεργασίας με την Ομάδα Υψηλών Πιέσεων του Ινστιτούτου Max Planck της Στουτγγάρδης, εξετάζεται η επίδραση της πίεσης στους τρόπους ταλάντωσης και στις οπτικές ιδιότητες των νέων μεγαλομορίων C₆₀ και C₇₀. Τα δύο υλικά μελετώνται σε μορφή σκόνης, με φασματοσκοπία Raman, και με μετρήσεις ανακλαστικότητας από το κοντινό υπέρυθρο ως το υπεριώδες. Το όριο σταθερότητας των υλικών αυτών προσδιορίζεται περίπου στα 220 kbars, σε σχέση με τα 150-180 kbars, που είναι το όριο σταθερότητας των δεσμών sp² του γραφίτη. Η σκέδαση Raman της νέας φάσης, πάνω από το όριο σταθερότητας, αντιστοιχεί στον άμορφο άνθρακα.

14. Arsenic passivation of MBE grown GaAs(100): structural and electronic properties of the decapped surfaces. U. Resch, N. Esser, Y. S. Raptis, W. Richter, J. Wasserfall, A. Foster and D. I. Westwood - Surface Science 269/270, 797-803 (1992).

Η εργασία αυτή είναι αποτέλεσμα της υπ. αρ. 6 ανακοίνωσης σε Διεθνές Συνέδριο, τα πρακτικά του οποίου δημοσιεύονται στο Surface Science, μέσω διαδικασίας κριτών, και είναι προιόν της Ελληνο-Γερμανικής συνεργασίας. Αντικείμενο της μελέτης εδώ είναι ο βαθμός επιτυχούς αδρανοποίησης των επιφανειών GaAs (100) που έχουν αναπτυχθεί με επιταξία μοριακών δεσμών (MBE). Η αδρανοποίηση επιτυγχάνεται με την κάλυψη των επιφανειών με As, σε συνθήκες πολύ υψηλού κενού (UHV). Μελετώνται οι ιδιότητες αδρανοποίησης και η θερμική σταθερότητα των επικαλύψεων, για διαφορετικά πάχη και χρόνους αποθήκευσης των δειγμάτων σε ατμοσφαιρικές συνθήκες. Η διαδικασία αφαίρεσης των προστατευτικών επικαλύψεων As, με θερμική κατεργασία, σε συνθήκες επίσης υψηλού κενού, παρακολουθείται με φασματοσκοπία μάζας (QMS), ενώ η ποιότητα των ανακατασκευαζομένων επιφανειών μελετάται με φασματοσκοπία ηλεκτρονίων Auger (AES), περίθλαση ηλεκτρονίων χαμηλής ενέργειας (LEED) και φασματοσκοπία Raman (RS). Η ανακατασκευή ισοδύναμων επιφανειών με θερμική κατεργασία σε ατμόσφαιρα αζώτου, μελετάται με φασματοσκοπικές μεθόδους μικροανίχνευσης Raman. Τα φάσματα Raman των αδρανοποιημένων επιφανειών, που έχουν εκτεθεί σε ατμοσφαιρικές συνθήκες, σε συνδυασμό με ηλεκτρονική μικροσκοπία σάρωσης (SEM), δείχνουν ότι η επικάλυψη αποτελείται από ένα στρώμα αμόρφου As πάνω στο οποίο είναι κατανεμημένοι μικροκρυσταλλίτες As₂O₃. Κατά τη διαδικασία της αφαίρεσης των επικαλύψεων, η φασματοσκοπία Auger δείχνει σημαντική εξάχνωση As στους 160^oC, που αποδίδεται στην απομάκρυνση των μικροκρυσταλλιτών As₂O₃, και στούς 360^oC, που αποδίδεται στην αφαίρεση του στρώματος του αμόρφου As. Mε συνδυασμένη χρήση φασματοσκοπίας Raman και τεχνικής σάρωσης Talystep διαπιστώθηκε ότι τα τελευταία συσσωματώματα αμόρφου As έχουν την μορφή νησίδων στα σημεία των άλλοτε μικροκρυσταλλιτών As₂O₃. Από τους 360^oC μέxρι τους 530^oC παρατηρείται ανακατασκευή επιφανειών GaAs (1x1), (2x4) και (4x1). Τα φάσματα Raman των επιφανειών αυτών έχουν συνεισφορά από διαμήκεις ταλαντώσεις πλέγματος (LO) και από συζευγμένες ταλαντώσεις πλέγματος - πλάσματος (Ω^-), η μελέτη των οποίων δείχνει μία κάμψη των ενεργειακών ζωνών στην επιφάνεια, η οποία είναι ανεξάρτητη από τη συμμετρία ανακατασκευής καί περίπου ίση με 0.7eV.

15. Pressure dependence of zone-boundary phonons of AlSb. Y. S. Raptis and K. Syassen - High Pressure Research, 9/10, 31-35 (1992).

Η εργασία αυτή είναι αποτέλεσμα της υπ. αρ. 4 ανακοίνωσης σε Διεθνές Συνέδριο, τα πρακτικά του οποίου δημοσιεύονται στο High Pressure Research, μέσω διαδικασίας κριτών. Σ' αυτή την εργασία μελετάται η επίδραση υδροστατικών πιέσεων στο δεύτερης τάξης φάσμα Raman του AlSb. Παρατηρείται μία αύξηση συχνότητας των οπτικών ταλαντώσεων από αρκετά σημεία στα όρια της ζώνης Brillouin. Αντιθέτως, η συχνότητα των ακουστικών φωνονίων από αρκετά σημεία της ζώνης Brillouin ελαττώνεται με την πίεση, συμπεριφορά η οποία συνοδεύεται και από μία δομική μεταβολή φάσης του υλικού στα 77 kbars. Διαπιστώθηκε επίσης ο μεταλλικός χαρακτήρας της νέας φάσης, με μετρήσεις ανακλαστικότητας.

16. Raman study of C₆₀/C₇₀ under pressure. Y. S. Raptis, D. W. Snoke, K. Syassen, S. Roth, P. Bernierand, A. Zahab - High Pressure Research, 9/10, 41-46 (1992).

Η εργασία αυτή είναι, επίσης, αποτέλεσμα της υπ. αρ. 5 ανακοίνωσης σε Διεθνές Συνέδριο, τα πρακτικά του οποίου δημοσιεύονται στο High Pressure Research, μέσω διαδικασίας κριτών. Σ' αυτή την εργασία μελετάται, με φασματοσκοπία Raman, η επίδραση της πίεσης στις ταλαντώσεις των C₆₀ και C₇₀ σε μορφή σκόνης. Προσδιορίζονται οι συντελεστές πίεσης 16 σαφώς διακρινόμενων κορυφών. Για δυό ταλαντώσεις ενδιάμεσης συχνότητας μετρήθηκαν αρνητικές κλίσεις, ενώ παρατηρήθηκε και μία μεταβολή προσήμου στην κλίση μίας ταλάντωσης του C₇₀ με συχνότητα 1186 cm^-1. Μία σταδιακή μείωση της σκεδαζόμενης έντασης παρατηρείται ήδη από τα 100 kbars, ενώ μία μη αντιστρεπτή μεταβολή φάσης σε άμορφο άνθρακα παρουσιάζεται στα 220 kbars, χωρίς καμία περαιτέρω αλλαγή φάσης μέχρι τα 360 kbars.

17. Second-order Raman scattering in AlSb. Y. S. Raptis, E. Anastassakis and G. Kanellis - Phys. Rev. B, 46, 15801-15811 (1992).

Στην εργασία αυτή μελετάται το δεύτερης τάξης φάσμα Raman του AlSb. Προσδιορίζονται οι τρεις ανεξάρτητες συνιστώσες του τανυστή Raman με εφαρμογή των κανόνων επιμέρους ζώνες σκέδασης. Οι ισχυρότερες από τις ζώνες σκέδασης αποδίδονται σε διαδικασίες δύο φωνονίων (άθροισμα, διαφορά και αρμονικές). Η απόδοση σε συγκεκριμένα σημεία της ζώνης Brillouin ελέγχεται τόσο από άποψη ιδιοτήτων συμμετρίας (θεωρία ομάδων), όσο και ποσοτικά με τη χρήση συγκεκριμένων κρυσταλλοδυναμικών μοντέλων, ενώ παρουσιάζονται παράλληλα και υπολογισμοί πυκνότητας καταστάσεων δύο φωνονίων για τους παραπάνω συνδυασμούς. Μελετάται επίσης η εξάρτηση του φάσματος Raman δεύτερης τάξης από τη συχνότητα διέγερσης, καθώς και η μεταβολή του για χαμηλές θερμοκρασίες. Τελικά παρουσιάζεται σκέδαση από τρίτη αρμονική του φωνονίου LO(Γ), κοντά σε συνθήκες συντονισμού.

18. Stabilized Cubic Zirconia: A Raman Study under Uniaxial Stress. Jinguang Cai, Y. S. Raptis and E. Anastassakis - Appl. Phys. Lett. 62, 2781 (1993).

Μελετάται το ZrO₂ όπως σταθεροποιείται, με την παρουσία Y₂O₃, στην κυβική φάση. Μετρήθηκε η μετατόπιση της ζώνης Raman F_2g, υπό την επίδραση μονοαξονικών τάσεων κατά μήκος των κρυσταλλογραφικών διευθύνσεων [001] και [111], σε θερμοκρασία δωματίου. Υπολογίσθηκαν τα "ενεργά" φωνονιακά δυναμικά παραμόρφωσης, και μελετήθηκε η εξάρτησή τους από την περιεκτικότητα του υλικού σε σταθεροποιητή. Εκτός από τα ανωτέρω μεγέθη, που είναι χρήσιμα για το χαρακτηρισμό δομών όπου η κυβική ζιρκόνια χρησιμοποιείται για την υποστήριξη ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, μελετήθηκε και η επίδραση μονοαξονικών τάσεων σε πολυκρυσταλλικά δείγματα τετραγωνικής σταθεροποιημένης ζιρκόνιας.

19. XRD and Raman studies of low-temperature-grown GaAs epilayers. M. Calamiotou, Y. S. Raptis and E. Anastassakis, M. Lagadas and Z. Hatzopoulos - Solid State Commun., 87, 563 (1993).

Μελετώνται, με μεθόδους περίθλασης ακτίνων-X και φασματοσκοπίας Raman, επιστρώματα GaAs που έχουν αναπτυχθεί σε χαμηλές θερμοκρασίες (T=200^o C), με τεχνικές επιταξίας μοριακών δεσμών, σε υποστρώματα ημιμονωτικού GaAs. Η σύγκριση της μεταβολής συχνότητας των LO φωνονίων του επιστρώματος, που μετρήθηκε με φασματοσκοπία Raman, και της αναμενόμενης μεταβολής συχνότητας, λόγω της τετραγωνικής παραμόρφωσης του επιστρώματος, που διαπιστώθηκε με περίθλαση ακτίνων Χ, έδωσε μία επιπλέον διαφορά συχνότητας. Η διαφορά αυτή αποδόθηκε σε μεταβολή του διαχωρισμού συχνοτήτων των φωνονίων TO-LO, λόγω περίσσειας As. O διαχωρισμός TO-LO εξαρτάται από την ανηγμένη μάζα μ και το ενεργό φορτίο q του Ga1-xAs1+x, τα οποία είναι συναρτήσεις της απόκλισης (x) απο τη στοιχειομετρία. Χρησιμοποιώντας την προσέγγιση του "δυνάμει κρυστάλλου" υπολογίσθηκε η περίσσεια As σε δείγματα αναπτυγμένα με διαφορετικές τεχνικές (ALE και ΜΒΕ) της ίδιας βασικής μεθόδου, σε συσχετισμό με την κρυσταλλική τους ποιότητα.

20. Raman study of Cubic Stabilized Zirconia under variable Temperature. J. Cai, C. Raptis, Y.S. Raptis, E. Anastassakis - Phys. Rev. B 51, 201-210 (1995).

Μελετάται, στην περιοχή θερμοκρασιών 40-1470 Κ, το οξείδιο του ζιρκονίου, σταθεροποιημένο σε κυβική δομή με την παρουσία οξειδίου του υτρίου, για διαφορετικές συγκεντρώσεις σταθεροποιητή. Με βάση την μεταβολή των φασμάτων Raman με τη θερμοκρασία, που υποδεικνύει ότι επικρατεί η σκέδαση πρώτης τάξης, αποδίδεται η παρουσία των ευρέων ζωνών σκέδασης σε μερική πλεγματική αταξία μάλλον παρά σε αναρμονική συνεισφορά ανώτερης τάξης. Πιστοποιείται η σταθερότητα του υλικού σε όλη την περιοχή θερμοκρασιών. Χρησιμοποιώντας αποτελέσματα μονοαξονικών τάσεων, υπολογίζεται ότι στη θερμοκρασιακή μετατόπιση των ζωνών Raman κυριαρχεί η συνεισφορά της διαστολής όγκου, υποδεικνύοντας τον ιοντικό χαρακτήρα των δεσμών στην περίπτωση της σταθεροποιημένης ζιρκονίας.

21. Folded phonons from lateral periodicity in (311) GaAs/AlAs corrugated superlattices. Z.V. Popovic, M.B. Vukmirovic, and Y.S. Raptis, E. Anastassakis, R. Notzel, K. Ploog - Phys. Rev. B 52 (8), 5879-94 (1995).

Αναλύεται η σκέδαση Raman από υπερπλέγματα GaAs/AlAs ανεπτυγμένα σε κυματοειδή επιφάνεια χαμηλής συμμετρίας (311). Πέραν των αναδιπλωμένων φωνονίων με κρυσταλλική ορμή παράλληλη στη διεύθυνση ανάπτυξης, παρατηρούνται και αναδιπλωμένοι ακουστικοί τρόποι ταλάντωσης από την επιπλέον περιοδικότητα της κυματοειδούς επιφάνειας ανάπτυξης κατά μήκος της διεύθυνσης (01-1), με συχνότητες που συμφωνούν με τους υπολογισμούς του συνεχούς μοντέλου. Διαπιστώνεται επίσης μία μετατόπιση, σε χαμηλώτερες συχνότητες, των εντοπισμένων τρόπων διαμήκους ταλάντωσης.

22. Optical Studies of ZnSe-Zns/GaAs(100) Single Quantum Wells grown by Photo-assisted Vapur Phase Epiraxy. V.V. Tishchenko, Y.S. Raptis, and E. Anasstassakis, N.V. Bondar - Solid State Communications, 96 (10), 793-98 (1995).

Μελετώνται, με φασματοσκοπία Raman, φωταύγειας και ανακλαστικότητας, απλά κβαντικά πηγάδια ZnSe-ZnS, πάχους δύο μονοατομικών στοιβάδων, ανεπτυγμένα σε υπόστρωμα GaAs (100), με φωτοϋποβοηθούμενη επιταξία από τη φάση των ατμών. Η ελάττωση συχνότητας του φωνονίου LO του κβαντικού πηγαδιού, σε σχέση με εκείνο του συμπαγούς ZnSe αποδίδεται σε συνδυασμό της αντίθετης επίδρασης των φαινομέων εντοπισμού και ελαστικής παραμόρφωσης. Από το συνδυασμό των φασμάτων ανακλαστικότητας και φωταύγειας υπολογίζεται η ενέργεια σύνδεσης του εξιτονίου 1s hh στα 44meV.

23. Interference patterns under normal incidence in birefringent, optically active plane parallel plates, T.D. Wen, Y.S. Raptis, E. Anastassakis, I.J. Lalov, A.I. Miteva - J. Phys. D : Appl. Phys., 28, 2128-34 (1995).

24. Surface-related phonon mode in porous GaP. I.M. Tiginyanu and V.V. Ursaki, V.A. Karavanskii and V.N. Sokolov, and Y.S. Raptis and E. Anastassakis - Solid State Communications, 97, 675-678 (1996).

Μελετώνται, με φασματοσκοπία Raman, δείγματα πορώδους GaP παρασκευασμένα με ηλεκτροχημική ανοδίωση κρυσταλλικού υποστρώματος n-GaP (100) και (111). Προσδιορίζεται ένας επιφανειακός τρόπος ταλάντωσης των νανοσωματιδίων του πορώδους GaP, με συχνότητα 397 cm^-1, ενώ διαπιστώνεται και μία ελάττωση της συχνότητας των ταλαντώσεων LO και TO, που αποδίδεται σε φαινόμενα εντοπισμού των φωνονίων στα νανοσωματίδια.

25. Raman scattering study of ZnInGaS₄ and CdInGaS₄ under hydrostatic pressure. E. Anastassakis, Y.S. Raptis, Sh. Ando, T. Irie, V.V. Ursaki, I.M. Tiginyanu, S.I. Radautsan, I. I. Burlakov - Cryst. Res. Technol., 31, 365-368 (1996).

Μελετώνται, με φασματοσκοπία Raman υπό υδροστατικές πιέσεις, τα στρωματικά υλικά ZnInGaS₄ και CdInGaS₄. Οι παρατηρούμενες μεταβολές με την πίεση εξηγούνται επί τη βάσει μεταβολών φάσης προς δομές spinel, μεταξύ 60 και 80 kbar. Η απουσία σκέδασης, μεταξύ 110 και 150 kbar, αποδίδεται σε μετάβαση προς μία φάση ανενεργό κατά Raman.

26. Pressure induced phase transition in MgInGaS₄. I.M. Tiginyanu, Y.S. Raptis, V.V. Ursaki, E. Anastassakis, I.I. Burlakov - Cryst. Res. Technol., 31, 777-780 (1996).

Μελετάται, με φασματοσκοπία Raman υπό υδροστατικές πιέσεις, το στρωματικό υλικό MgInGaS₄. Οι παρατηρούμενες μεταβολές των φασμάτων Raman περί τα 90 kbar αποδίδονται σε μεταβολή φάσης προς δομή spinel. Προσδιορίζονται οι ανηγμένες μετατοπίσεις συχνοτήτων με την πίεση για τους περισσότερους τρόπους ταλάντωσης του υλικού.

27. Two-wave and induced three-wave mixing in thin holograms. P.M. Petrov, V.M. Petrov, Y.S. Raptis, L.P. Xu, E. Anastassakis - J. Appl. Phys., 79, 2846-2852 (1996).

Παρουσιάζονται τα αποτελέσματα μελετών μίξης δύο και τριών κυμάτων, σε λεπτά ολογράμματα, σε συνδυασμό με θεωρητικούς υπολογισμούς. Ως φωτοευαίσθητο υλικό για την ολογραφική καταγραφή χρησιμοποιείται ένα χωρικός διαμορφωτής φωτός κατασκευασμένος από Bi₁₂SiO₂₀ (BSO). Διαπιστώνεται ποιοτική συμφωνία μεταξύ θεωρίας και πειράματος και επιβεβαιώνεται ότι αυτός ο διαμορφωτής μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως ένα αποδοτικό μέσο για αυτοπροσαρμόσιμες συμβολομετρικές τεχνικές.

28. Interference patterns under oblique incidence in birefringent optically active plane-parallel plates. A.I. Miteva, I.J. Lalov, T. Wen, Y.S. Raptis and E. Anastassakis - J. Phys. D : Appl. Phys. 29, 2705-2713 (1996).

Η εργασία αυτή αποτελεί επέκταση της εργασίας υπ αριθμ. 23, για την περίπτωση πλάγιας πρόσπτωσης. Επιβεβαιώνεται, και σε αυτή την περίπτωση η κυριαρχία της διπλοθλαστικότητας, στα φαινόμενα συμβολής, σε σχέση με τον ασήμαντο ρόλο που παίζει η οπτική ενεργότητα. Σε σχέση με την προηγούμενη εργασία, καταδεικνύεται ότι, αυξάνοντας τη γωνία πρόπτωσης, επιτυγχάνεται εντονώτερος διαχωρισμός των διπλών κορυφών του συμβολογράμματος, ενώ παράλληλα μειώνεται το εύρος της κάθε κορυφής, με αποτέλεσμα την αισθητή βελτίωση της συνάρτησης λεπτότητας (finesse) του πλακιδίου, με προφανές πρακτικό ενδιαφέρον.

29. Order-disorder phase transition in CdAl₂S₄ under hydrostatic pressure. I. I. Burlakov, Y. S. Raptis, V.V. Ursaki, E. Anastassakis and I.M. Tiginyanu, - Solid State Commun., 101, 377 - (1997).

Μελετάται, με φασματοσκοπία Raman υπό υδροστατικές πιέσεις (0-150 kbar), το ευρέως χάσματος (4.3 eV) ημιαγώγιμο υλικό CdAl₂S₄, το οποίο κρυσταλλώνεται σε δομή χαλκοπυρίτη με διατεταγμένα πλεγματικά κενά (stoichiometric vacancies). Μεταξύ 60 και 100 kbar το υλικό υφίσταται μία μετάβαση τάξης-αταξίας στο υποπλέγμα των κατιόντων (Cd και Al), η οποία χωρεί σε δύο στάδια. Η απουσία σκέδασης για πιέσεις υψηλότερες των 140 kbar αποδίδεται σε μεταβολή φάσης προς δομή χλωριούχου νατρίου.

30.Strain effects on InSb phonons in bulk and superlattice layers. M. Siakavellas, Y. S. Raptis, and E. Anastassakis - J. Appl. Phys., 82, 6235-6239 (1997).

Μελετάται, με φασματοσκοπία Raman, η επίδραση μονοαξονικών τάσεων στα μεγάλου μήκους κύματος οπτικά φωνόνια του InSb. Από τις παρατηρούμενες μετατοπίσεις συχνότητας και την άρση των εκφυλισμών, προσδιρίζονται οι τιμές των φωνονιακών δυναμικών παραμόρφωσης. Τα αποτελέσματα χρησιμοποιούνται για την ανάλυση δημοσιευμένων μετρήσεων Raman σε ελαστικά παραμορφωμένα υπερπλέγματα InSb/In_x-1Al_x

31. Pressure Induced Phase Transitions in Spinel and Wurtzite Phases of ZnAl₂S₄ Compound. V. V. Ursaki, I. I. Burlakov, I. M. Tiginyanu, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, I. Aksenov and K. Sato - Jpn. J. Appl. Phys., 37, 135-140 (1998).

Μελετώνται, με φασματοσκοπία Raman, μονοκρύσταλλοι ZnAl₂S₄ (φάσης α-spinel και w-wurtzite), υπό υδροστατικές πιέσεις. Προσδιορίζεται, για την α-φάση μία κρίσιμη πίεση (230 kbar) κατά την οποία οι μεταβολές αποδίδονται σε μία αντιστρεπτή μεταβολή προς μία φάση μεγαλύτερης πυκνότητας. Η φάση w παρουσιάζει επίσης μία κρίσιμη πίεση της οποίας η τιμή ελαττώνεται με τις προσμίξεις Cd. Κατά τη χαλάρωση των πιέσεων παρατηρούνται διάφορες φάσεις, ανάλογα με την μέγιστη επιτευχθείασα πίεση. Η συμπεριφορά των δύο φάσεων (α και w) είναι διαφορετική κατά των επανάληψη των κύκλων συμπίεσης.

32. High-pressure Raman scattering study of germanium diselenide. Z. V. Popovic, Z. Jaksic, Y. S. Raptis and E. Anastassakis, - Phys. Rev. B, 57(6), 3418-3422 (1998).

Μελετάται, με φασματοσκοπία Raman, η στρωματική μορφή (β) του GeSe₂, σε χαμηλές θερμοκρασίες, και υπό μεταβλητή υδροστατική πίεση σε θερμοκρασία δωματίου. Προσδιορίζονται, με μετρήσεις πόλωσης στους 10 Κ, 28 τρόποι ταλάντωσης συμμετρίας A_g και 29 τρόποι συμμετρίας B_g. Με την πίεση, παρατηρείται αύξηση της συχνότητας των ταλαντώσεων, μέχρι τα 2.5 GPa. Σε πιέσεις μεγαλύτερες των 4 GPa εξαφανίζονται οι ασθενέστερες ζώνες σκέδασης. Από τις υπόλοιπες κορυφές διαπιστώνεται η ύπαρξη τριών κρισίμων πιέσεων στα 6.2, 7, και 8 GPa, οι οποίες αποδίδονται σε δομικές μεταβολές. Κατά την χαλάρωση της πίεσης παρουσιάζεται υστέρηση μέχρι τα 0.6 GPa. Σε χαμηλώτερες πιέσεις το υλικό επανέρχεται στην αρχική του στρωματική δομή (β-φάση).

33. Porous Silicon of Variable Porosity under high Hydrostatic Pressure : Raman and Photoluminescence Studies. D. Papadimitriou, Y. S. Raptis, A. G. Nassiopoulou and G. Kaltsas - phys. stat. sol.(a) 165, 43-48 (1998).

Παρουσιάζονται μετρήσεις Raman και Φωτοφωταύγειας σε πορώδες πυρίτιο χωρίς υπόστρωμα, υπό υδροστατικές πιέσεις, για πρώτη φορά μέχρι 21 GPa. Μελετάται η μεταβολή της φωταύγειας και των φασμάτων Raman με την πίεση, ως συνάρτηση του πορώδους. Η κρίσιμη πίεση, πάνω από την οποία μειώνεται δραστικά τόσο η ενεργότητα κατά Raman όσο και η απόδοση της εκπεμπόμενης φωταύγειας, μεταβάλεται με το πορώδες του υλικού. Τα αποτελέσματα ερμηνεύονται επί τη βάση του μοντέλου του κβαντικού εντοπισμού και με την απόδοση των δύο φασματικών χαρακτηριστικών (Raman και PL) σε διαφορετικού μεγέθους νανοκρυστάλλους του πορώδους.

34. Pressure-induced amorphization of germanium diselenide. Z. V. Popovic, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, Z. Jaksic - Journal of Non-Crystalline Solids, 227-230, 794-798 (1998).

Μελετώνται, με φασματοσκοπία Raman σε θερμοκρασία δωματίου, μονοκρύσταλλοι β-GeSe₂, με στρωματική κρυσταλλική δομή, υπό μεταβλητή υδροστατική πίεση. Σύμφωνα με τα φάσματα Raman, η αύξηση της πίεσης επάγει μία μεταβολή της στρωματικής σε μία άτακτη δομή (στα 6.2 GPa). Περαιτέρω αύξηση της πίεσης (μέχρι τα 7 GPa) προκαλεί μεταβολές των φασμάτων Raman ενδεικτικές μία δεύτερης μεταβολής φάσης από διαταραγμένη δομή σε α-GeSe₂ (με τριδιάσταση κρυσταλλική δομή). Στα 8 GPa, και η δομή αυτή μετασχηματίζεται σε άμορφο GeSe₂. Αν η P_max£ 10 GPa, κατά τη χαλάρωση της πίεσης παρατηρείται αντιστρεψιμότητα των μεταβολών φάσης, με υστέρηση μέχρι τα 0.6 GPa. Για P_max=12.5 GPa, το υλικό παραμένει άμορφο, κατά τη χαλάρωση της πίεσης. Το αμορφοποιημένο υλικό παρουσιάζει μία τάση φωτο-επαγόμενης ανακρυστάλλωσης, ακόμη και στις υψηλώτερες πιέσεις.

35.Optical phonons in spin-Peierls compound NaV₂O₅. Z. V. Popovic, M. J. Konstantinovic, R. Gajic, V. Popov, Y. S. Raptis, A. N. Vasilef, M. Isobe and Y. Ueda - J. Phys. : Condens. Matter 10, L513-L519 (1998).

Μελετώνται, με φασματοσκοπία ανακλαστικότητας υπερύθρου και σκέδασης Raman, μονοκρύσταλλοι NaV₂O₅. Προσδιορίζονται, με ανάλυση Kramers-Kroning, οι συχνότητες των ενεργών στο υπέρυθρο ταλαντώσεων. Οι παρατηρούμενες κορυφές αποδίδονται σε τρόπους ταλάντωσης που προκύπτουν από κρυσταλλοδυναμικούς υπολογισμούς με βάση μοντέλο φλοιών. Με βάση τις διαφορές μεταξύ κορυφών υπερύθρου και Raman, προτείνεται μία κεντροσυμμετρική ομάδα χώρου για το υλικό.

36. High-pressure studies of photoluminescence in porous silicon, D. Papadimitriou, Y. S. Raptis, A. G. Nassiopoulou, Phys. Rev. B 58, 14089-14093 (1998).

Μελετάται, με φασματοσκοπία Raman και Φωτοφωταύγειας υπό μεταβλητές υδροστατικές πιέσεις, πορώδες πυρίτιο μεταβλητού πορώδους. Διαπιστώθηκε ότι οι πιέσεις μεταβολής φάσης είναι συνάρτηση του μεγέθους των μικροκρυσταλλιτών που αποτελούν το πορώδες. Για πορώδες μεγαλύτερο του 80%, η μεταβολή φάσης γίνεται στα 18 GPa και συνοδεύεται από μία μία αντιστρέψιμη μείωση της ένταση και του Raman και της φωτοφωταύγειας. Τα αποτελέσματα ερμηνεύονται σε συνέπεια με το μοντέλο του κβαντικού εντοπισμού.

37. Phase transitions in defect chalcopyrite compounds under hydrostatic pressure. V. V. Ursaki, I. I. Burlakov, I. M. Tiginyanu, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, A. Anedda, Phys. Rev. B 59, 257-268 (1999).

Μελετώνται, με φασματοσκοπία Raman υπό υδροστατικές πιέσεις, τετραεδρικές ενώσεις του τύπου AGa₂X₄ (A=Cd, Zn και X=S, Se), που κρυσταλλώνονται σε δομή ατελούς χαλκοπυρίτη και φαματινίτη. Οι μεταβολές που παρατηρούνται με την πίεση αποδίδονται σε μία μεταβολή φάσης του τύπου τάξη-αταξία στο υποπλέγμα των κατιόντων, η οποία φαίνεται να λαμβάνει χώρα σε δύο στάδια, σε συμφωνία με την βιβλιογραφία. Μία μή αντιστρεπτή εξαφάνιση του σήματος Raman, σε υψηλές πιέσεις, αποδίδεται σε μία μεταβολή φάσης προς δομή χλωριούχου νατρίου. Η πίεση αυτής της μεταβολής εξαρτάται τόσο από τον ιοντικό χαρακτήρα όσο και από το μήκος δεσμού των ενώσεων. Η δομή των υλικών, κατά την επαναφορά σε κανονικές συνθήκες εξηγείται επί τη βάση θεωρητικού μοντέλου.

38. Temperature dependence of Raman scattering and anharmonicity study of MgF₂. A. Perakis, E. Sarantopoulou, Y. S. Raptis and C. Raptis, Phys. Rev. B 59, 775-782 (1999).

Μελετάται η θερμοκρασιακή μεταβολή των φασμάτων Raman του MgF₂ στην θερμοκρασιακή περιοχή 12-1100Κ. Προσδιορίζεται ότι η ανώμαλη μείωση συχνότητας του φωνονίου B_1g, με την ελάττωση της θερμοκρασίας, δεν σχετίζεται με μία υπό εκδήλωση μεταβολή φάσης, αλλά με συστολή πλέγματος η οποία μεταβάλλει τις ατομικές αλληλεπιδράσεις. Συνδυάζοντας θερμοκρασιακές μετρήσεις και μετρήσεις μονοαξονικών τάσεων γίνεται μία αναρμονική μελέτων των αποτελεσμάτων. Υπολογίζονται οι συνεισφορές του καθαρού θερμοκρασιακού φαινομένου και της διαστολής όγκου στις μετατοπίσεις συχνότητας και ευρίσκονται και οι δύο αρνητικές για τα φωνόνια A_g και E_g ενώ για το B_g ευρίσκονται αντιθέτου προσήμου και με κυρίαρχη τη συνεισφορά όγκου. Συγκρίνεται η ισοτροπική προσέγγιση της συνεισφοράς όγκου με την ακριβή τετραγωνική προσέγγιση και υπολογίζεται ότι η διαφορά τους μπορεί να φτάσει και μέχρι 15%.

39. Raman Modes in Porous GaP under Hydrostatic Pressure,, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, Y. S. Raptis, V. Stergiou, E. Anastassakis, H. L. Hartnagel, A. Vogt, B. Prevot, C. Schwab, phys. stat. sol. (b) 211, 281-286 (1999).

Μελετώνται, με φασματοσκοπία Raman, δείγματα συμπαγούς και πορώδους GaP, υπό μεταβλητή υδροστατική πίεση. Με την αύξηση της πίεσης παρατηρείται μία αύξηση του φωνονιακού χάσματος ανάμεσα στον διαμήκη και τον επιφανειακό τρόπο ταλάντωσης, που αποδίδεται σε μεταβολή της αναρμονικότητας του επιφανειακού τρόπου ταλάντωσης με την πίεση και, ενδεχομένως, σε σχετική μεταβολή της “ενεργού” διηλεκτρικής σταθεράς του περιβάλοντος μέσου, λόγω καλύτερης διαβροχής των πόρων.

40. Pressure and temperature-dependent Raman study of YLiF₄, E. Sarantopoulou, Y. S. Raptis, E. Zouboulis, and C. Raptis, Phys. Rev. B 59, 4154-4162 (1999).

Μελετάται η σκέδαση Raman του μονοκρυστάλλου LiYF₄, για μεγάλες περιοχές μεταβλητής υδροστατικής πίεσης (0-20 GPa) και θερμοκρασίας (30-1000Κ). Αντίθετα με άλλους κρυστάλλους της ίδιας δομής (scheelite) οι εσωτερικές ταλαντώσεις των τετραέδρων LiF₄^-3 παρουσιάζουν μεγάλες κλίσεις dω/dt, dω/dP, εν αντιθέσει με τους εξωτερικούς τρόπους ταλάντωσης. Η αναρμονική ανάλυση οδηγεί στο συμπέρασμα ότι τα τετράεδρα παρουσιάζουν ιοντικό χαρακτήρα.

41. Lattice vibrations in spin-Peierls compound NaV₂O₅. Z. V. Popovic, M. J. Konstantinovic, R. Gajic, V. Popov, Y. S. Raptis, A. N. Vasilef, M. Isobe and Y. Ueda, Solid State Commun. 110, 381-386 (1999).

Μελετώνται μονοκρύσταλλοι NaV₂O₅ σε θερμοκρασία δωματίου. Οι παρατηρούμενες κορυφές ανακλαστικότητας υπερύθρου και σκέδασης Raman αποδίδονται σε τρόπους ταλάντωσης, επί τη βάσει νεώτερων αποτελεσμάτων περί κεντροσυμμετρικής συμμετρίας του κρυστάλλου. Εκτός από τις φωνονιακές κορυφές, εντοπίζονται και ορισμένες ευρείες ζώνες που αποδίδονται σε διαχωρισμό των d-d ηλεκτρονικών μεταπτώσεων των ιόντων V⁴⁺, λόγω κρυσταλλικού πεδίου.

42. Parameters influencing the fratness and stability of capasitive pressure sensors fabricated with wafer bonding, D. Goustouridis, D. Tsoukalas, P. Normand, A. G. Kontos, Y. Raptis, E. Anastassakis, Sensors and Actuators, 76, 403-408 (1999).

Παρουσιάζεται μία συστηματική μελέτη, με οπτικές, φασματοσκοπικές και ηλεκτρικές μεθόδους, των μεμβρανών πυριτίου που αποτελούν το ευαίσθητο στοιχείο αισθητήρων πίεσης, κατασκευασμένο με τεχνική συγκόλλησης δισκιδίων. Προσδιορίζεται, με χρήση φασματοσκοπίας micro-Raman, η επίδραση των διαδοχικών βημάτων και των συνθηκών ανάπτυξης, στην επιπεδότητα και την κατανομή των τάσεων στο στοιχείο. Εμφαση δίδεται επίσης στη σταδιακή μεταβολή των χαρακτηριστικών του στοιχείου και στα φαινόμενα κόπωσης, αφου αυτά καθορίζουν την αξιοπιστία της διάταξης.

43. High-pressure raman study of SnGeS3, V.C.Stergiou, Y.S.Raptis, Z.V.Popovic, E.Anastassakis, High Pressure Research, 18, 189-194 (2000).

Η εργασία αυτή είναι δημοσίευση σε Πρακτικά (με σύστημα κριτών) από το XXXVII Meeting of the European High Pressure Research Group, (Montpellier, 9-11 September 1999). Παρουσιάζονται αποτελέσματα σκέδασης Raman από το ημιαγώγιμο υλικό SnGeS₃ (με άμεσο ενεργειακό χάσμα 2.23 eV), υπό υδροστατικές πιέσεις μέχρι 19.5 GPa. Με βάση την εξάρτηση των φωνονιακών συχνοτήτων από την πίεση προτείνεται μία ομαδοποίηση των ταλαντώσεων σε εσωτερικές και εξωτερικές. Από τις μετρήσεις προκύπτουν ενδείξεις για την ύπαρξη δύο κρίσιμων πιέσεων, περί τα 7 και περί τα 12 GPa. Το υλικό καθίσταται ανενεργό κατά Raman στην πίεση των 19.5 GPa. Ολες οι παρατηρούμενες μεταβολές είναι αντιστρεπτές κατά την χαλάρωση της πίεσης.

44. Phonon deformation potentials of CdTe, V.C.Stergiou, Y.S.Raptis, E.Sarantopoulou, E.Anastassakis, N.T.Pelekanos, A.Arnoult, S.Tatarenko, K.Saminadayar, High Pressure Research, 18, 101-107 (2000).

Η εργασία αυτή είναι δημοσίευση σε Πρακτικά (με σύστημα κριτών) από το XXXVII Meeting of the European High Pressure Research Group, (Montpellier, 9-11 September 1999). Μελετώνται, με φασματοσκοπία Raman υπό συντονισμό σε χαμηλές θερμοκρασίες, απλά και πολλαπλά κβαντικά πηγάδια CdTe/Cd_1-xZn_xTe, με διαφορετική σύνθεση (x), αναπτυγμένα σε υπόστρωμα Cd_1-xZn_xTe (001). Τα πάχη των μελετώμενων νανοδομών κυμαίνονται σε μία περιοχή τιμών που εξασφαλίζει : i) μηδενική χαλάρωση των ελαστικών παραμορφώσεων, αλλά ii) αμελητέα φαινόμενα εντοπισμού των φωνονίων. Υπολογίζονται δύο από τα τρία φωνονιακά δυναμικά παραμόρφωσης λόγω ελαστικών τάσεων της διαμήκους οπτικής ταλάντωσης του CdTe, από το κέντρο της ζώνης Brillouin.

45. Raman Study of Elastically strained Bulk and Layered Structures Based on CdTe, V. C. Stergiou, Y. S. Raptis, E. Anastassakis, N. T. Pelekanos, A. Nahmani, and J. Cibert, phys. stat. sol. (b), 223, 237 (2001).

Η εργασία αυτή είναι δημοσίευση σε Πρακτικά (με σύστημα κριτών) από το 9^th High Pressure Semiconductor Physics, Sapporo, 24-28 September, 2000, και αποτελεί προέκταση της εργασίας 44, της οποίας τα αποτελέσματα συνδυάζονται με επιπλέον μετρήσεις από : i) κβαντικά πηγάδια CdTe/Cd_1-xZn_xTe, με διαφορετική σύνθεση (x), αναπτυγμένα σε υπόστρωμα Cd_1-xZn_xTe (111), ii) συμπαγή δείγματα CdTe υπό μονοαξονική ελαστική τάση κατά μήκος των αξόνων [001] και [111]. Στην περίπτωση των νανοδομών (111), πλήν των ελαστικών παραμορφώσεων, συνυπολογίζεται και η επίδραση του πιεζοηλεκτρικού πεδίου στη συχνότητα των φωνονίων. Ολες οι μετρήσεις Raman γίνονται επίσης σε συνθήκες συντονισμού και σε χαμηλές θερμοκρασίες (2Κ, 20Κ, 90Κ). Υπολογίζονται τα έξι φωνονιακά δυναμικά παραμόρφωσης, λόγω ελαστικών τάσεων, για τα φωνόνια LO και TO, και λόγω πιεζοηλεκτρικού πεδίου για το φωνόνιο LO.

46. Vibrational Properties of SnGeS₃ under High Pressure, K. Inoue, V. Stergiou, Y. S. Raptis and Z. V. Popovic, J. Phys. Soc. Japan, 70, 3901-3907 (2001).

Επέκταση της εργασίας 43. Μελετάται και η μεταβολή των εντάσεων σκέδασης σε συνδυασμό με μία συμπεριφορά αντι-διασταύρωσης (anti-crossing) σε δύο χαρακτηριστικές ζώνες σκέδασης. Τα αποτελέσματα συγκρίνονται με υπολογισμούς από συνδυασμό μοντέλων Valence-Force-Field και Bond-Polarizability, με παράμετρο προσαρμογής, που εξαρτάται από την πίεση, τη διαφορά ισχύος μεταξύ τερματιζόμενων και μη τερματιζόμενων δεσμών Ge-S, λόγω στρωματικού χαρακτήρα του υλικού. Μεταβάλλοντας αυτή την παράμετρο με την πίεση, έτσι ώστε να αναπαράγεται η πειραματικά παρατηρούμενη μεταβολή εντάσεων και συχνοτήτων των αντιδιασταυρούμενων ζωνών σκέδασης, διαπιστώνουμε ότι η ισχύς τερματιζόμενων και μη τερματιζόμενων δεσμών Ge-S εξισώνεται στην πίεση των 12.6 GPa, αποτέλεσμα που είναι συμβατό με την πειραματική ένδειξη για κρίσιμη πίεση στα 12 GPa. Τα συμπεράσματα από το συνδυασμό πειραματικών αποτελεσμάτων και θεωρητικών υπολογισμών είναι : i) βαθμιαία εξίσωση της ισχύος των δύο ανωτέρω δεσμών, στην περιοχή 0-7 GPa , με παράλληλη ελάττωση του στρωματικού χαρακτήρα, ii) περαιτέρω ελάττωση του στρωματικού χαρακτήρα με σταδιακή αμορφοποίηση, στην περιοχή 7-12 GPa, iii) απώλεια του στρωματικού χαρακτήρα και πλήρης αμορφοποίηση, άνω των 12 GPa.

47. Influence of Ge implantation on the mechanical properties of polycrystalline silicon microstructures, S. Polymenakos, V. C. Stergiou, A. G. Kontos, C. Tsamis, Y. S. Raptis, D. Tsoukalas, J. Micromechanics and Microengineering, 12, 450-457, (2002).

Μελετώνται οι ενδογενείς μηχανικές τάσεις (built-in stress) μικροδομών πολυκρυσταλλικού πυριτίου (poly-Si), σε σχέση με την περιεκτικότητά του σε προσμίξεις Βορίου (Β) και Γερμανίου (Ge). Οι υπό μελέτη μικροδομές εξετάζονται τόσο σε κατάσταση ελέυθερη εξωτερικών καταπονήσεων όσο και σε κατάσταση στατικών και δυναμικών ηλεκτροστατικών φορτίσεων. Η πειραματική μελέτη γίνεται τόσο με μακροσκοπικές μεθόδους (pull-in voltage, συχνότητες συντονισμού μικρο-μεμβρανών poly-Si), όσο και με φασματοσκοπία micro-Raman, τα πειραματικά δε αποτελέσματα συγκρίνονται με αριθμητικούς υπολογισμούς οι οποίοι στηρίζονται σε προσομοιώσεις των μικρο-δομών. Προσδιορίζεται μία πυκνότητα εμφύτευσης Ge (10¹⁵ ιόντα/cm²) για την οποία οι ενδογενείς μηχανικές τάσεις παρουσιάζουν ένα μέγιστο, σύμφωνα με όλες τις μεθόδους μελέτης που χρησιμοποιήθηκαν σε αυτή την εργασία. Η εργασία αποτελεί ανάπτυξη της υπ. αριθμ. 30 παρουσίασης σε Διεθνές Συνέδριο (12^th Micro Mechanics Europe, Cork, Ireland, 16 September 2001), από το οποίο ένας αριθμός επιλεγμένων εργασιών προτάθηκε να υποβληθούν για κρίση (μετά το Συνέδριο, και επιπλέον εκείνης του Συνεδρίου) και δημοσίευση στο περιοδικό J. Micromechanics & Microengineering

48. High-pressure Raman study of CaV₂O₅, Z. V. Popovic, V. Stergiou, Y. S. Raptis, M. J. Konstantinovic, M. Isobe, Y. Ueda, V. V. Moshchalkov, J. Phys.: Condensed Matter, 14, L583-L589, (2002)

Μελετώνται, με φασματοσκοπία Raman υπό υψηλές υδροστατικές πιέσεις, οι δομικές και κρυσταλλοδυναμικές ιδιότητες του υλικού CaV₂O₅, το οποίο ανήκει σε μία σειρά βαναδικών οξειδίων μετάλλων AV₂O₅ (A=Li, Na, Cs, Mg, Ca) που παρουσιάζουν ενδιαφέροντα κβαντικά φαινόμενα spin χαμηλών διαστάσεων. Στο συγγεκριμένο υλικό, (το οποίο παρουσιάζει μία αντισιδηρομαγνητική δομή με τη μορφή κλίμακας), μελετήθηκε η εξάρτηση των φωνονιακών συχνοτήτων από την υδροστατική πίεση, μέχρι την πίεση των 135 kbar. Δώδεκα (12) ενεργοί κατά Raman τρόποι ταλάντωσης, που παρατηρούνται σε χαμηλές πιέσεις, εξαφανίζονται στην πίεση των 90 kbar, δίνοντας τη θέση τους σε τρείς ζώνες το εύρος των οποίων υποδεικνύει μία μετάβαση από τη στρωματική δομή του αρχικού υλικού σε μία άτακτη δομή. Οι πειραματικές παρατηρήσεις για το CaV₂O₅ ερμηνεύονται, σε σύγκριση με τη συμπεριφορά των υλικών α΄-NaV₂O₅ και V₂O₅, με βάση τα κρυσταλλογραφικά χαρακτηριστικά αλλά και το διαφορετικό σθένος, (κατάσταση οξείδωσης: V^4+, V^4,5+, V⁵⁺), με το οποίο παρουσιάζεται το Βανάδιο στις τρείς αυτές ενώσεις αντίστοιχα.

49. Epitaxy and structural characterization of ZnSeTe Layers grown on InP substrates, A. G. Kontos, Y. S. Raptis, M. Strassburg, U. W. Pohl, J. of Crystal Growth, 247, 17-22 (2003)

Μελετώνται, με περίθλαση ακτίνων Χ και φασματοσκοπία Raman, λεπτές επιστρώσεις ZnSeTe, (πάχους 350nm), αναπτυγμένες με μέθοδο MOVPE σε υπόστρωμα InP. Ο συνδυασμός των αποτελεσμάτων από τις δύο μεθόδους μελέτης με ένα μοντέλο που υποθέτει μερική χαλάρωση των ελαστικών παραμορφώσεων και αποκλίσεις από τη στοιχειομετρική σύνθεση των επιστρώσεων επιτρέπει τον προσδιορισμό των δύο αυτών παραμέτρων (μερική χαλάρωση και στοιχειομετρία). Στη συνέχεια μελετάται η σχετική μεταβολή των δύο ανωτέρω φαινομένων κατά την παρεμβολή μίας στρώσης υποστήριξης (buffer layer) μεταξύ υποστρώματος και επίστρωσης, καθώς και ως προς τη μεταβολή των συνθηκών εναπόθεσης. Τα συμπεράσματα της μελέτης οδηγούν στον προσδιορισμό των βέλτιστων συνθηκών εναπόθεσης για τις οποίες ελαχιστοποιούνται η απόκλιση από τη στοιχειομετρία και η χαλάρωση των ελαστικών παραμορφώσεων.

50. Growth and p-type doping of ZnSeTe on InP, M. Strassburg, M. Strassburg, O. Schulz, U. W. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.G. Kontos, Y. S. Raptis, J. Cryst. Growth, 248, 50-55 (2003).

Μελετάται η ανάπτυξη λεπτών επιστρώσεων ZnSeTe σε υποστρώματα InP, με μεθόδους επιταξίας από τη φάση των μεταλλοργανικών ατμών (MOVPE) καθώς και η νόθευσή τους με αποδέκτες φωσφόρου. Παρουσιάζεται η επίδραση που έχει στις επιστρώσεις, τόσο η μεταβολή των μοριακών λόγων στη φάση ατμών, όσο και η παρεμβολή μεταξύ υποστρώματος και επίστρωσης, ενός ενδιάμεσου στρώματος (buffer) ZnCdSe. Περιγράφεται η εξάρτηση της συγκέντρωσης των ελευθέρων οπών από το βαθμό ενσωμάτωσης του P στο ZnSeTe. Τα πρώτης και δεύτερης τάξης φάσματα micro-Raman του ZnZeTe καταγράφονται, σε συμφωνία με την συμπεριφορά ενός τρόπου ταλάντωσης του τριμερούς. Μελετάται, με τη βοήθεια των φασμάτων micro-Raman, η επίδραση του πάχους του ενδιαμέσου (buffer) στρώματος του ZnCdSe, στην ομοιογένεια των επιστρώσεων του ZnSeTe. Επιβεβαιώνεται ότι η βέλτιστη κρυσταλλική ποιότητα του επιστρώματος λαμβάνεται όταν η σύνθεσή του αντιστοιχεί σε προσαρμογή της πλεγματικής του σταθεράς με εκείνη του υποστρώματος.

51. Spectroscopic study of Ce- and Cr-doped LiSrAlF₆ crystals, A. G. Kontos, G. Tsaknakis, Y.S. Raptis, and A. Papayannis, E. Landulfo, S. L. Baldochi, E. Barbosa, and N. D. Vieira, Junior, J. Appl. Phys., 93(5), 2979, 2803 (2003).

Μελετώνται, με φασματοσκοπία Raman και φασματοσκοπία συντονισμού ηλεκτρονικού spin (ESR) δείγματα κρυσταλλικού LiSrAlF₆ χωρίς-, και με-προσμείξεις Ce³⁺ και Cr³⁺ προκειμένου να ταυτοποιηθούν οι μοριακές ταλαντώσεις του συστήματος και να διερευνηθεί ο ρόλος των προσμείξεων, καθώς και να προσδιορισθεί η παραμόρφωση του τοπικού κρυσταλλικού περιβάλλοντος του Ce. Η ανάλυση των κύριων κορυφών των φασμάτων ESR δείχνει ότι τα ιόντα Ce³⁺ αντικαθιστούν τα Sr²⁺. Επιπλέον κορυφές των φασμάτων ESR αποδίδονται σε παραμόρφωση του τριγωνικού κρυσταλλικού περιβάλλοντος λόγω διαφορετικών θέσεων των συμπληρωματικών πρόσμειξεων με ιόντα Na⁺ που λειτουργούν ως αντισταθμιστές φορτίου του Ce³⁺.

52. Raman study of nitrogen-doped ZnSSe/GaAs epilayers, A. G. Kontos, Y. S. Raptis, M. Strassburg, U. W. Pohl, D. Bimberg, Thin Solid Films, 428, 185-189 (2003).

Μελετώνται επιστρώσεις ZnSSe/GaAs με προσμίξεις αζώτου (Ν), οι οποίες είναι αναπτυγμένες με επιταξία από μεταλλοργανικούς ατμούς (MOVPE), χρησιμοποιώντας ως αντιδραστήρια μονομερείς, (tBu)₂Se, και διμερείς, Ma₂Se₂, ενώσεις του σεληνίου. Τα δομικά χαρακτηριστικά των επιστρώσεων προσδιορίζονται από την ανάλυση των διαγραμμάτων περίθλασης ακτίνων-Χ και από τις συχνότητες Raman των τρόπων ταλάντωσης LO και ΤΟ, τύπου ZnSe και ZnS. Από την ανάλυση προκύπτουν βελτιωμένες δομικές ιδιότητες για τις επιστρώσεις που αναπτύσσονται με βάση το μονομερές αντιδραστήριο. Στα φάσματα Raman παρατηρούνται συζευμένοι τρόποι ταλάντωσης πλασμονίου-φωνονίου-LO (PLP), από τη διεπιφάνεια του GaAs. Μελετώντας τη σχέση εύρους-συχνότητας κορυφής των τρόπων PLP, για διαφορετικές εντάσεις διέγερσης, διαπιστώνετι ότι οι διεγέρσεις PLP οφείλονται σε φωτοδιεγειρόμενους φορείς, και η συμπεριφορά τους αναλύεται επί τη βάση φαινομένων κάμψης των ενεργειακών ζωνών στη διεπιφάνεια υποστρώματος-επίστρωσης.

53. Piezoelectric effect on the optical phonon modes of strained cubic semoconductors: Case of CdTe quantum wells, V. C. Stergiou, N. T. Pelekanos and Y. S. Raptis, Phys. Rev. B, 67, 165304-(1-15), (2003).

Παρουσιάζεται η φασματοσκοπική μελέτη (κυρίως Raman αλλά και Luminescence) σε συμπαγή δείγματα CdTe υπό ελαστική παραμόρφωση σε χαμηλές θερμοκρασίες, καθώς και σε κβαντικά πηγάδια CdTe/CdZn(Mn)Te, αναπτυγμένα κατά μήκος των κρυσταλλογραφικών διευθύνσεων [001] και [111], τα οποία ευρίσκονται σε κατάσταση διϊσοτροπικής ελαστικής παραμόρφωσης. Συνδυάζοντας τα αποτελέσματα αυτών των μετρήσεων, προσδιορίζονται τα φωνονιακά δυναμικά λόγω ελαστικής παραμόρφωσης και λόγω πιεζοηλεκτρικού πεδίου. Αποδεικνύεται ότι το πιεζοηλεκτρικό πεδίο προκαλεί μία μη-αμελητέα διόρθωση στη μεταβολή συχνότητας των πλεγματικών ταλαντώσεων. Υπολογίζονται οι αναμενόμενες συνεισφορές του πιεζοηλεκτρικού πεδίου, στις μετατοπίσεις συχνότητας των φωνονίων TO και LO σε ελαστικώς παραμορφωμένα κβαντικά πηγάδια CdTe, αναπτυγμένα κατά μήκος κρυσταλλογραφικών διευθύνσεων χαμηλής συμμετρίας ([111], [211], [311]).

54. Compositional dependence of Raman scattering and photoluminescence emission in Cu_xGa_ySe₂ thin films, C. Xue, D. Papadimitriou, Y. S. Raptis, N. Esser, W. Richter, S. Siebentritt, M. C. Lux-Steiner, J. Appl. Phys., 94, 4341-4347, (2003).

Μελετώνται η σκέδαση Raman και η εκπομπή φωτο-φωταύγειας, σε χαμηλές θερμοκρασίες και σε θερμοκρασία δωματίου, από λεπτές επιστρώσεις Cu_xGa_ySe₂, ως συνάρτηση της χημικής σύνθεσης των επιστρώσεων, οι οποίες έχουν αναπτυχθεί σε υπόστρωμα GaAs(100), (με μεθόδους MOCVD), και σε υπόστρωμα μολυβδενικών γυαλιών, (με μεθόδους PVD). Η μεταβολή εύρους, στην περιοχή 20-300Κ, των ζωνών Raman υποδεικνύει την αυξανόμενη αταξία με την αύξηση του ποσοστού του Ga. Σε διαπιφανειακούς τρόπους ταλάντωσης που ενεργοποιούνται λόγω ατελειών, με την αύξηση του Ga, αποδίδονται και οι κορυφές Raman στα 193 και 199 cm^-1. Η αυξανόμενη ένταση αυτών των κορυφών συσχετίζεται με την παράλληλη εύξηση της έντασης της φωταύγειας, που αποδίδεται σε ακτινοβολιτικές επανασυνδέσεις επί των ατελειών. Τα παρατηρούμενα φαινόμενα είναι πιό έντονα στα δείγματα που έχουν αναπτυχθεί με μέθοδο MOCVD, εν σχέσει με εκείνα που έχουν αναπτυχθεί με μέθοδο PVD.